[发明专利]一种研磨结构及具有其的晶圆研磨装置在审
| 申请号： | 202210286645.0 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114654381A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 边润立;尹影;李婷;刘晓亮;司马超;庞浩 | 申请（专利权）人： | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/34 | 分类号： | B24B37/34;B24B55/00;B24B53/017;C09D127/18;C09D5/08 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 郑越 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 结构 具有 装置 | ||
1.一种研磨结构，其特征在于，包括：
壳体(3)；
弹性膜组件(5)，所述弹性膜组件(5)的侧壁与所述壳体(3)间隙设置；
通道(1)，包括相互连通的冲击流道(2)和清洗流道(4)，所述冲击流道(2)的第一入口开设于所述壳体(3)的侧壁上，所述冲击流道(2)的第一出口延伸至所述弹性膜组件(5)的侧壁，所述清洗流道(4)设于所述弹性膜组件(5)的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的研磨结构，其特征在于，所述冲击流道(2)的第一入口的水平位置高于第一出口的水平位置设置。
3.根据权利要求2所述的研磨结构，其特征在于，所述冲击流道(2)的第一出口设于所述弹性膜组件(5)的侧壁顶端。
4.根据权利要求1-3任一项所述的研磨结构，其特征在于，所述冲击流道(2)的第一出口的内径大于所述清洗流道(4)的第二进口的内径。
5.根据权利要求4所述的研磨结构，其特征在于，所述冲击流道(2)为等径设置，所述清洗流道(4)的内径自第二进口至第二出口逐渐减小。
6.根据权利要求4所述的研磨结构，其特征在于，所述冲击流道(2)的第一出口与所述清洗流道(4)的第二进口之间设有圆弧状拐角。
7.根据权利要求1-6任一项所述的研磨结构，其特征在于，所述壳体(3)采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。
8.根据权利要求7所述的研磨结构，其特征在于，所述壳体(3)表面与所述通道(1)的内壁上均设有聚四氟乙烯涂层。
9.一种晶圆研磨装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的研磨结构。
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