[发明专利]制冷剂HFC-134a探测用的红外滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种制冷剂HFC-134a探测用的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片包括基底材料、主膜系结构和截止膜系结构，所述的主膜系结构和截止膜系结构分别设置于所述的基底材料的两侧；

所述的主膜系结构为：

Sub/ HLHL2HLHLHLHLH2LHL0.79H0.42L /Air，设计波长为8440nm；

所述的截止膜系结构为：

Sub/ 0.28(HL)^70.40(HL)^70.55(HL)^70.73(HL)^71.43(0.5LH0.5L)^7/Air，设计波长为8440nm；

其中，Sub表示基底材料，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，膜系结构中的数字为膜层厚度系数，符号^7表示括号内的膜堆重复的次数。

2.根据权利要求1所述的制冷剂HFC-134a探测用的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片中心波长为8440±60nm，带宽210±20nm，峰值透射率＞80%，截止区2000nm～8080nm和8800nm～14000nm的最大透射率小于1%。

3.根据权利要求1所述的制冷剂HFC-134a探测用的红外滤光片，其特征在于，所述的基底材料为光学级单晶硅或单晶锗材料。

4.一种权利要求1至3中任一项所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

（1）将基底材料装入夹具并放置到镀膜机真空腔室内，并抽真空；

（2）将所述的基底材料烘烤180～220℃，并保持恒温；

（3）将所述的基底材料采用霍尔离子源离子轰击约10～15分钟，气体流量15～25sccm；

（4）分别在所述的基底材料的两面按照预设的膜系结构要求的膜层厚度逐层进行主膜系结构及截止膜系结构的镀制；

（5）镀制结束，待烘烤温度降至室温时，进行破空，取出所述的红外滤光片。

5.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中真空度为4×10^-4Pa～6×10^-4Pa。

6.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中恒温时间为120分钟以上。

7.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）中离子源为高纯氩气。

8.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（4）中的镀制过程具体包括：

采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，使用电阻蒸发工艺蒸发ZnS膜料，分别在所述的基底材料的两面逐层进行主膜系结构及截止膜系结构的镀制；

其中，Ge膜的镀膜速率为0.4～0.6nm/s，ZnS膜的镀膜速率为1.0～2.0nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率。

9.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（5）后还包括步骤（6）：将红外滤光片放置到退火炉中退火，退火温度180～220℃，恒温时间6～10小时，升/降温速度0.8～1.2℃/min。

10.根据权利要求4所述的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中所述的基底材料为单晶硅片，厚度为0.4～0.6mm，直径100mm，光洁度满足40/20标准。