[发明专利]一种电磁屏蔽用复相陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料，其特征在于，包括：Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体，以及填充在Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体表面及多孔结构中的酚醛树脂热解炭。

2.根据权利要求1所述的Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料，其特征在于，所述Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体中SiC相的含量为5～50 wt%。

3.根据权利要求1所述的Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料，其特征在于，所述Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体的孔径分布为50 nm～3 μm，总孔隙率为30～48%，闭气孔率为0～5%。

4.根据权利要求1所述的Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料，其特征在于，所述酚醛树脂热解炭占Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体质量的1～10 wt%。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料，其特征在于，所述Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料的总孔隙率为25～45%，闭气孔率为6～35%，密度为1.6～2.2 g·cm^-3。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，将Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体浸渍在酚醛树脂溶液中，再经固化和裂解，得到所述Si₃N₄-SiC-C复相陶瓷电磁屏蔽材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述酚醛树脂溶液的浓度为20～55vol%；所述固化的温度为60～100℃；所述裂解的气氛为真空，温度为600～1000℃。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体的制备过程包括：

（1）将SiC粉体、Si粉体和粘结剂混合后制成陶瓷素坯；

（2）将所得陶瓷素坯进行负压脱蜡和反应烧结，得到所述Si₃N₄-SiC复相多孔陶瓷基体。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体占原始粉体质量5～50wt%，其中原始粉体质量为碳化硅粉体和硅粉完全氮化之后所生成氮化硅的质量总和；

所述SiC粉体的粒径为0.5～10 μm，所述Si粉体的粒径为1～3 μm。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述负压脱蜡的气氛为真空，温度为900℃～1100 ℃，保温时间为0.5～1 小时；所述反应烧结的气氛为氮气气氛，温度为1250～1550 ℃，保温时间1～3 小时。