[发明专利]基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法

说明书

本发明提供了一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，属于光学显示半导体的技术领域；所述方法通过将同层设置的第一像素电极及第二像素电极采用异步制作方式，基于第一像素电极以呈矩形阵列分布在有机平坦层的基础上，通过钝化层的隔离，以使第二沉积层在沉积、刻蚀的制作形成第二像素电极过程中，可以有效控制第二像素电极与相邻第一像素电极之间的缝隙值达到预设值以内，以解决处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用现有同步制成方式时，两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响不能进一步减小的弊端，有效提高像素电极的开口率及减少高阶衍射产生的杂光，提高光学显示器件的相位调制性能。

技术领域

本发明属于光学显示半导体器件的技术领域，具体地涉及一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法。

背景技术

光学相位控制显示元件通过提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以有效地提高像素透过率；其中，像素开口率系指透光或反光比率，即每个像素可透光或反光的有效区域除以像素的总面积，像素开口率指数越高，器件对背光源透光率或外界光源的反射率就越高，器件的亮度及穿透率就有所提高，可有效提升器件的工作效率及使用性能。

随着科技的不断发展，薄膜晶体管TFT技术由原来的a-Si(非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管、Oxide(金属氧化物)薄膜晶体管等。基于阵列基板结构的光学显示器件主要是利用背光源或反射外界光来达到显示的效果，能够发挥其薄型轻量和消耗电力低的优点，在监视器、投影仪、便携式电话和便携式信息终端(PDA)等电子设备中被广泛利用。现有光学显示器件的结构如图1所示，一般包括下基板、与下基板相对的上基板及夹在下基板和上基板之间的液晶层，下基板上设有数百万个可单独寻址的用于形成像素的第一像素电极及第二像素电极，第一像素电极及第二像素电极位于同一层，且相互交错间隙设置。每个像素电极都能够在液晶层上施加控制电压来控制液晶层旋转，当液晶层使用均匀排列的向列液晶材料构成时，液晶分子将响应于像素两端的控制电压以不同角度倾斜，因此，其有效折射率会根据线性偏振光速而变化，其偏振方法平行于液晶对准方向，使得相位调制器能够在空间上调制入射光速的相位，并保持其振幅不变。

现有技术的光学显示器件，诸如液晶显示器、透射式空间光调制器、反射式空间光调制器，其下基板的相邻两像素电极要留有一定的缝隙。基于现有的下基板制作方法，处于同层的第一像素电极及第二像素电极采用同步制成方式，其两者缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻工艺精度等影响，存在一个最小缝隙精度，例如大部分LCD产线的最小缝隙约为2um，导致像素电极开口率无法做到更高，从而影响器件的相位调制光利用率，并且相邻两像素电极间的间隙偏大会造成增加液晶不受控区域的面积及高阶衍射产生杂光的弊端。

因此，针对现有结构的光学显示器件的下基板制作方法进行优化，以解决缝隙大小受限于现有制作过程中的曝光精度及蚀刻精度等影响不能进一步减小的弊端，是一个亟待解决的课题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，针对现有技术的下基板制作方法进行优化，通过异步制作的第一像素电极与第二像素电极，以使进一步减小相邻两像素电极的间隙，有效提高像素电极的开口率及减少高阶衍射产生的杂光，提高光学显示器件的相位调制性能。

该发明提供以下技术方案，一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法，所述方法包括：

将薄膜晶体管结构及有机平坦层由下而上依次层置于下玻璃基板上；

在所述有机平坦层上沉积整面的第一沉积层，以使所述第一沉积层完全覆盖所述有机平坦层；

在所述第一沉积层上刻蚀出呈矩形阵列分布的多个第一像素电极；

沉积整面的钝化层完全覆盖所述第一像素电极及所述有机平坦层，以使所述钝化层完全覆盖所述第一像素电极；