[发明专利]基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法有效

专利信息
申请号: 202210274840.1 申请日: 2022-03-21
公开(公告)号: CN114355659B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 霍英东;荣誉东 申请(专利权)人: 南昌虚拟现实研究院股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1337;G02F1/1339;G02F1/1362;H01L21/84
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 何世磊
地址: 330038 江西省南昌市红谷*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 基于 阵列 板结 光学 显示 器件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述方法包括:

将薄膜晶体管结构及有机平坦层由下而上依次层置于下玻璃基板上;

在所述有机平坦层上沉积整面的第一沉积层,以使所述第一沉积层完全覆盖所述有机平坦层;

在所述第一沉积层上刻蚀出呈矩形阵列分布的多个第一像素电极;

沉积整面的钝化层完全覆盖所述第一像素电极及所述有机平坦层,以使所述钝化层完全覆盖所述第一像素电极;

刻蚀未覆盖着所述第一像素电极的所述钝化层,且以使所述钝化层超出所述第一像素电极的距离不大于第一预设值;

沉积整面的第二沉积层,以使所述第二沉积层完全覆盖所述钝化层及所述有机平坦层;

刻蚀覆盖着所述钝化层的所述第二沉积层形成多个第二像素电极,且以使覆盖所述第一像素电极的所述钝化层与相邻的所述第二像素电极之间的距离不大于第二预设值;

刻蚀覆盖在所述第一像素电极上的所述钝化层,以使两相邻的所述第一像素电极及所述第二像素电极的空隙为目标距离,且所述目标距离的大小与所述第一预设值与所述第二预设值之和相一致,以完成下基板的制作;

在上玻璃基板上铺设公共电极以形成上基板;

在所述上基板与所述下基板之间制作液晶层,以形成所述光学显示器件。

2.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,沉积整面的所述第一沉积层及所述第二沉积层采用物理气相沉积成膜方式制成。

3.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述第一沉积层及所述第二沉积层的膜质采用铝或银或钼或者氧化铟锡材质。

4.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,第一预设值和所述第二预设值之和不超过1um。

5.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管结构包括自所述下玻璃基板朝向所述液晶层一侧依次设置的多晶硅层、栅极绝缘层、第一金属层、介质层、第二金属层;所述有机平坦层背离所述液晶层的一侧覆盖所述第二金属层。

6.根据权利要求5所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述介质层、所述第二金属层均采用沉积法沉积加工及图案化处理制作而成;其中,所述图案化处理包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、及光阻剥离。

7.根据权利要求5所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述钝化层、所述栅极绝缘层和所述介质层材料为二氧化硅和/或氮化硅。

8.根据权利要求5所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层材料为铝、钛的堆栈组合或者铝、钼的堆栈组合。

9.根据权利要求1所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,在所述上基板与所述下基板之间制作液晶层的步骤具体包括:

将所述上基板和所述下基板相互对应的一侧涂覆一层液晶配向层,对所述液晶配向层进行摩擦或光配向工艺;

在所述下基板显示区域的玻璃边缘涂覆一圈封框胶,在所述封框胶内的所述配向层上滴液晶,在真空环境下将所述上基板和所述下基板对位贴合,在紫外线光照设和加热调节下,封框胶固化,形成所述液晶层。

10.根据权利要求1~9任一项所述的基于阵列基板结构的光学显示器件制作方法,其特征在于,所述液晶层采用正性液晶。

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