[发明专利]内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件

权利要求书

1.一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于包括：N型衬底(01)、位于N型衬底(01)上方的N型埋层(10)，位于N型埋层(10)上方左侧的第一PWELL区(20)、位于第一PWELL区(20)内部上方的第一P+接触区(22)、位于第一PWELL区(20)右侧的第一NWELL区(11)、位于第一NWELL区(11)内部上方的第一N+接触区(12)、位于第一NWELL区(11)右侧的第二PWELL区(21)、位于第二PWELL区(21)内部上方的第二N+接触区(13)和第二P+接触区(23)、跨接在NWELL区(11)和第二PWELL区(21)中间上方的第三N+区(14)、第一N+接触区(12)和第一P+接触区(22)与金属相连形成金属阳极(31)；第二N+接触区(13)和第二P+接触区(23)用金属相连构成金属阴极(32)。

2.根据权利要求1所述的一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：衬底替换为P型衬底(02)。

3.根据权利要求1所述的一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：第三N+接触区(14)右侧设有第一齐纳区(28)，且第三N+区(14)的右侧与第一齐纳区(28)的左侧相切。

4.根据权利要求1所述的一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：第二PWELL区(21)的上表面设有栅氧化层(03)，栅氧化层(03)左边与第三N+区(14)的右侧相切，栅氧化层(03)左边与第二N+接触区(13)的左侧相切，栅氧化层(03)上方为多晶硅(04)。

5.根据权利要求1所述的一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：N型衬底(01)上方设有第一深NWELL区(15)，第一深NWELL区(15)内部上方为第一PWELL区(20)、第一NWELL区(11)和第二PWELL区(21)，第一深NWELL区(15)的结深比第一NWELL区(11)更深。

6.根据权利要求5所述的一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：衬底替换为P型衬底(02)。

7.一种内嵌NPN结构的高维持电压TVS分立器件，其特征在于：包括P型衬底(02)、位于P型衬底(02)上方的P型埋层(24)，位于P型埋层(24)上方左侧的第二NWELL区(16)、位于第二NWELL区(16)内部上方的第三P+接触区(26)和第四N+接触区(18)、位于第二NWELL区(16)右侧的第三PWELL区(25)、位于第三PWELL区(25)内部上方的第四P+接触区(27)、位于第三PWELL区(25)右侧的第三NWELL区(17)、位于第三NWELL区(17)内部上方的第五N+接触区(19)、第三P+接触区(26)和第四N+接触区(18)与金属相连形成金属阳极(31)；第四P+接触区(27)和第五N+接触区(19)用金属相连构成金属阴极(32)。