[发明专利]电池串互联的方法及电池串互联结构

权利要求书

1.一种电池串互联的方法，包括：

提供若干电池串并将若干所述电池串并排排布，每一所述电池串的背面具有多行焊接点，每一行所述焊接点的排列方向与所述电池串并排排布的方向垂直；

提供导电箔连接带，将所述导电箔连接带放置在所述电池串的背面且与至少一行所述焊接点相对设置；

采用激光焊接工艺，将所述导电箔连接带与并排排布的所述若干电池串的所述焊接点焊接在一起。

2.根据权利要求1所述的电池串互联的方法，其特征在于，所述导电箔连接带的厚度为0.1mm-0.4mm；

优选的，所述导电箔连接带包括金属箔；

优选的，所述金属箔为铝箔或者铜箔；

优选的，所述铝箔的组分含量为：铝的质量占比为98.3％-99.25％，硅的质量占比为0.05％-0.3％，铁的质量占比为0.7％-1.3％，铜的质量占比为0％-0.05％，锌的质量占比为0％-0.05％；

优选的，所述导电箔连接带的硬度比所述焊接点的硬度小。

3.根据权利要求2所述的电池串互联的方法，其特征在于，所述导电箔连接带还包括：位于所述金属箔表面的导电涂层，所述导电涂层的导电能力大于金属箔的导电能力；

优选的，所述导电涂层包括纳米导电石墨层、掺碳的银层或者锡铅合金层；

优选的，所述导电箔连接带的电导率为60％-70％；

优选的，所述导电箔连接带的反射率为90％-99％。

4.根据权利要求1所述的电池串互联的方法，其特征在于，所述激光焊接工艺的参数包括：采用的激光波长为0.75μm-1000μm，激光焊接温度为150℃-250℃，时间为10ms-900ms。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电池串互联的方法，其特征在于，还包括：进行所述激光焊接工艺之前，采用压针对所述导电箔连接带的部分表面施压；

优选的，所述压针的按压高度为0.2mm-1mm。

6.根据权利要求5所述的电池串互联的方法，其特征在于，所述压针为实心压针，所述压针的按压位置对应着所述焊接点之间的所述导电箔连接带；或者，所述压针为空心压针，所述压针的按压位置对应所述焊接点。

7.根据权利要求1-4任一项所述的电池串互联的方法，其特征在于，进行所述激光焊接工艺之后，还包括：采用图像传感器至少采集所述导电箔连接带对应着所述焊接点的表面，通过所述导电箔连接带表面的翘曲程度判断所述焊接点与所述导电箔连接带之间是否有虚焊；

优选的，所述图像传感器相对所述电池串的上表面倾斜放置，所述图像传感器的光接收面的中心至被检测的所述焊接点的连线垂直于所述导电箔连接带的延伸方向，所述图像传感器的光接收面的中心至被检测的所述焊接点的连线与所述电池串的背面之间的夹角为30°-60°。

8.一种电池串互联结构，其特征在于，包括：

若干个电池串，若干所述电池串并排排布，每一所述电池串的背面具有多行焊接点，每一行所述焊接点的排列方向与所述电池串并排排布的方向垂直；

导电箔连接带，所述导电箔连接带位于并排排布的所述电池串的背面且与至少一行所述焊接点焊接在一起。

9.根据权利要求8所述的电池串互联结构，其特征在于，所述导电箔连接带的厚度为0.1mm-0.4mm；

优选的，所述导电箔连接带包括金属箔；

优选的，所述金属箔为铝箔或者铜箔；

优选的，所述铝箔的组分含量为：铝的质量占比为98.3％-99.25％，硅的质量占比为0.05％-0.3％，铁的质量占比为0.7％-1.3％，铜的质量占比为0％-0.05％，锌的质量占比为0％-0.05％；

优选的，所述导电箔连接带的硬度比所述焊接点的硬度小。

10.根据权利要求9所述的电池串互联结构，其特征在于，所述导电箔连接带还包括：位于所述金属箔表面的导电涂层，所述导电涂层的导电能力大于金属箔的导电能力；

优选的，所述导电涂层包括纳米导电石墨层、掺碳的银层或者锡铅合金层；

优选的，所述导电箔连接带的电导率为60％-70％；

优选的，所述导电箔连接带的反射率为90％-99％。