[发明专利]参数化单元数据计算方法和参数化单元

说明书

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种参数化单元数据计算方法和参数化单元。参数化单元包括：第一列表模块，第一列表模块用于存储半导体器件参数矩阵中各参数元素的虚部数值；第二列表模块，第二列表模块用于存储半导体器件参数矩阵中各参数元素的实部数值；数值提取模块，数值提取模块用于根据参数计算请求，从第一列表模块中，提取参数计算请求所需的所有虚部数值，和/或根据参数计算请求，从第二列表模块中，提取参数计算请求所需的所有实部数值；运算模块，运算模块用于根据参数计算请求，对数值提取模块提取的虚部数值，和/或实部数值进行运算，并反馈运算结果给第一列表模块或第二列表模块。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种参数化单元数据计算方法和参数化单元。

背景技术

参数化单元(Pcell，Parameterized Cell)是一个可变参的，能够实时显示并可以进行数据仿真的数据块，该数据块涉及到器件的参数计算。

在针对例如MOS管、电阻器件和电容器件等晶体管级别器件的参数进行计算时，由于涉及到计算的参数通常为估算器件的几何尺寸、电阻值或电容值等参数，使得计算过程较为简单，常规的参数化单元容易实现。

而对于例如射频电感等复杂器件，需要精确地计算其电感值Q值(QualityFactor)时，需要大量的复数四则运算，常规的参数化单元无法实现。

发明内容

本申请提供了一种参数化单元数据计算方法和参数化单元，可以常规的参数化单元无法实现复杂器件所需大量的复数四则运算的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请的第一方面提供一种参数化单元，其特征在于，所述参数化单元包括：

第一列表模块，所述第一列表模块用于存储半导体器件参数矩阵中各参数元素的虚部数值；

第二列表模块，所述第二列表模块用于存储所述半导体器件参数矩阵中各参数元素的实部数值；

数值提取模块，所述数值提取模块用于根据参数计算请求，从所述第一列表模块中，提取所述参数计算请求所需的所有虚部数值，和/或根据所述参数计算请求，从所述第二列表模块中，提取所述参数计算请求所需的所有实部数值；

运算模块，所述运算模块用于根据所述参数计算请求，对所述数值提取模块提取的虚部数值，和/或实部数值进行运算，并反馈运算结果给所述第一列表模块或所述第二列表模块。

可选地，所述半导体器件参数矩阵中的参数元素为在频域上的频谱信号；

每个所述参数元素包括表征所述频谱信号相位信息的所述虚部数值，和表征所述频谱信号幅度信息的所述实部数值。

可选地，所述参数元素包括：输入信号反射损失参数元素、输出信号反射损失参数元素、输入信号传输馈入损失参数元素和输出信号传输馈入损失参数元素。

可选地，所述第一列表模块还用于存储所述运算模块反馈的运算结果。

可选地，所述第二列表模块还用于存储所述运算模块反馈的运算结果。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请的第二方面提供了一种参数化单元数据计算方法，所述参数化单元数据计算方法包括以下步骤：

获取半导体器件参数矩阵；所述半导体器件参数矩阵为，在频域下影响所述半导体器件多种特性的参数元素的集合，各个所述参数元素为频域上的复数信号；

存储所述半导体器件参数矩阵中各参数元素的虚部数值于第一列表模块中；

存储所述半导体器件参数矩阵中各参数元素的实部数值于第二列表模块中；

获得参数计算请求；