[发明专利]一种基于电子束毛化的电子器件散热结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210255768.8 申请日: 2022-03-15
公开(公告)号: CN114585230A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 徐鹏卓;韩钟剑;张育栋;余涛;宋丹 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十研究所
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710068 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电子束 电子器件 散热 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种基于电子束毛化的电子器件散热结构及其制造方法,散热板上方设置有若干个毫米级的方柱结构,各个方柱结构的截面尺寸相同,高度相同,间距相同,在每个方柱结构之间的散热板的上表面为柱间亲水区域,每个方柱结构周向的四个表面为方柱周向亲水区域,每个方柱结构的顶部的表面为方柱顶部疏水区域,使得本散热结构实现紧密的亲疏水相结合。本发明能够提供较大的有效换热面积,同时亲水区域能够及时向方柱结构上补给冷却工质,而且存在紧密结合的亲水区域和疏水区域,分别充当冷却工质补给区域和汽化核心生成区域,有助于提高整个散热结构的补液能力,增强换热能力。

技术领域

本发明涉及超高热流密度沸腾强化换热领域,适用于高热流密度微电子器件高效冷却,具体涉及一种电子器件散热结构及其制造方法。

背景技术

21世纪是一个电子信息时代,电子产品作为科技的依托无所不在,军事领域中,随着雷达迅速发展,大热耗、高热流密度、轻量化要求成为电子设备热控技术的关键要素。在民用领域,5G通讯技术是未来数字经济、物联网等关键领域的核心基石,与4G产品相比,5G产品热流密度大幅增加,散热问题日趋严峻,急需降低电子器件的温度来提升产品可靠性。常规的风冷散热的最大散热能力有限,逐渐不能满足日益升高的散热需求。而沸腾换热能够利用液体在汽化过程中的潜热带走大量热量,是一种高效的换热形式。

沸腾过程是一个剧烈的汽化过程,伴随有大量的气体产生。有限的换热表面不能将热量高效扩散出去,限制了散热能力的提升。在高热流密度时,冷却工质往往不能及时补充至换热表面,换热表面温度较高,容易产生干烧现象,限制换热表面的散热能力。

针对换热面积不足的问题,现有的解决方法多采用各种强化表面来扩展换热面积,常见的强化表面有粗糙表面、刻蚀表面、碳纳米管表面等。但是这些强化表面生成的微纳米结构处于整个边界层内部,不能充分发挥其扩展换热面积的优势。

针对补液能力不足的问题,现有的研究通过改变换热表面的润湿性来提升其补液能力。亲水表面的润湿性好,有利于冷却工质的补给,疏水表面的汽化核心容易被激活,有利于降低换热表面的温度。但是同一个换热表面的亲疏水结合较差,不能发挥它们的复合强化优势。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种基于电子束毛化的电子器件散热结构及其制造方法。针对现有换热表面有效扩展面积不足、补液能力不足的问题,本发明提供一种亲疏水结合电子器件散热结构及制造方法。本发明的方柱结构能够提供较大的有效换热面积,同时亲水区域能够及时向方柱结构上补给冷却工质,而且存在紧密结合的亲水区域和疏水区域,分别充当冷却工质补给区域和汽化核心生成区域,有助于提高整个散热结构的补液能力,增强换热能力。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种基于电子束毛化的亲疏水结合电子器件散热结构,包括散热板(1)和方柱结构(2),散热板(1)上方设置有若干个毫米级的方柱结构(2),各个方柱结构(2)的截面尺寸相同,高度相同,间距相同,在每个方柱结构(2)之间的散热板的上表面为柱间亲水区域(3),在每个方柱结构(2)上有不同润湿性的区域,每个方柱结构(2)周向的四个表面为方柱周向亲水区域(4),每个方柱结构(2)的顶部的表面为方柱顶部疏水区域(5),使得本散热结构实现紧密的亲疏水相结合。在沸腾换热过程中,方柱周向亲水区域(4)能够及时将冷却工质补给至沸腾换热区域,方柱顶部疏水区域(5)能够持续产生汽泡,利用冷却工质的相变带走热量。

进一步地,所述方柱结构(2)呈方形阵列分布在散热板上,散热板的长度和宽度都为L,L取值为10-50mm,方柱结构均匀填充满散热板,方形阵列的尺寸为L*L。

进一步地,所述散热板(1)上每个方柱结构截面为正方形,边长为a,a的取值为200μm-500μm。

进一步地,散热板(1)上每个方柱结构之间的间距都为a。

进一步地,散热板(1)上每个方柱结构的高度都为h,h取值为2mm-3mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十研究所,未经中国电子科技集团公司第二十研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210255768.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top