[发明专利]一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210252387.4 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114743870A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李善杰;王文樑;邢志恒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/312 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 栅极 凹槽 刻蚀 方法 | ||
1.一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：先在半导体外延片上依次形成第一导电金属层、光刻胶层和第二导电金属层，再进行电子束曝光，再对第二导电金属层进行刻蚀，再对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域，再对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽，再剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。
2.根据权利要求1所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)对半导体外延片进行清洗和干燥，再在半导体外延片上形成第一导电金属层；
2)在第一导电金属层上形成光刻胶层，并进行坚膜处理；
3)在光刻胶层上形成第二导电金属层，得到含金属-光刻胶-金属结构的半导体外延片；
4)对含金属-光刻胶-金属结构的半导体外延片进行电子束曝光，并进行曝光后烘烤；
5)对第二导电金属层进行刻蚀；
6)对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域；
7)对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽；
8)剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：所述第一导电金属层的组成成分包括Au、Ti、Cu、Al、Cr、Au、Pd中的至少一种；所述第二导电金属层的组成成分包括Au、Ti、Cu、Al、Cr、Au、Pd中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：所述第一导电金属层的厚度≤10nm；所述第二导电金属层的厚度≤10nm。
5.根据权利要求1或2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：所述第一导电金属层的形成方式选自溅射、电镀、热蒸发中的一种；所述第二导电金属层的形成方式选自溅射、电镀、热蒸发中的一种。
6.根据权利要求1或2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：所述光刻胶层中的光刻胶选自PMMA光刻胶、PMMA-MAA光刻胶、ZEP520光刻胶、EBR-9光刻胶、HSQ光刻胶、AR-N 7520光刻胶中的一种；所述显影采用的显影液选自MIBK:IPA显影液、xylene:p-dioxane显影液、TMAH显影液、AR 300-47显影液中的一种。
7.根据权利要求1或2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：所述光刻胶层的形成方式为旋涂。
8.根据权利要求2所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：步骤5)所述刻蚀的方式为湿法刻蚀。
9.根据权利要求2或8所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：步骤7)所述刻蚀的方式为等离子体刻蚀。
10.根据权利要求2或8所述的百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，其特征在于：步骤8)所述刻蚀的方式为湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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