[发明专利]一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法

权利要求书

1.一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：所述方法步骤如下：

(1)将镍钴锰氢氧化物前驱体与LiOH按照1:1.04～1:1.12的摩尔比研磨混合均匀，得到混合粉末A；其中，镍钴锰氢氧化物前驱体的化学式为Ni_xCo_yMn_1-x-y(OH)₂，0.8≤x＜1，y＞0，1-x-y＞0；

(2)氧气气氛下，将所述混合粉末A加热至830℃～870℃，保温2～7h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到粉末B；

(3)将所述粉末B置于球磨罐中，加入异丙醇浸没所述粉末B，进行球磨，球磨结束后，分离、干燥，得到粉末C；球磨时，球料比为20:1～30:1，球磨转速为250r/min～400r/min，球磨时间为1h～3h；

(4)氧气气氛下，将所述粉末C加热至700℃～750℃，保温6～15h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到一种高镍单晶三元材料。

2.如权利要求1所述的一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：步骤(1)中，0.8≤x≤0.9。

3.如权利要求1所述的一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：步骤(1)中，研磨时间为20min～40min。

4.如权利要求1所述的一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：步骤(2)中，降温速率为2℃/min～3℃/min。

5.如权利要求1所述的一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：步骤(4)中降温速率为2℃/min～3℃/min。

6.如权利要求1所述的一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，其特征在于：步骤(1)中，0.8≤x≤0.9，研磨时间为20min～40min；步骤(2)中，降温速率为2℃/min～3℃/min；步骤(4)中，降温速率为2℃/min～3℃/min。