[发明专利]一种高产酸的肟磺酸酯类光产酸剂在审
申请号: | 202210247440.1 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN115368285A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 钱晓春;龚艳;姜超;徐丽萍 | 申请(专利权)人: | 常州强力先端电子材料有限公司;常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力光电材料有限公司 |
主分类号: | C07D207/327 | 分类号: | C07D207/327;C07D209/08;C07D213/57;C07D317/72;C07C323/63;C07D333/24;C07C303/00;C07C309/73;C07C309/65;C07C309/00;C07C303/28;G03F7/004 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高产 肟磺酸酯类光产酸剂 | ||
本发明公开一种感光度高,溶解性、热稳定性和化学稳定性更具优势的肟磺酸酯类光产酸剂,含有该光产酸剂的抗蚀剂组合物及其应用,所述肟磺酸酯类光产酸剂具有通式(I)所示结构:
技术领域
本发明属于感光材料技术领域,具体涉及一种在300-450nm波长范围内高产酸的肟磺酸酯类光产酸剂、含有该光产酸剂的抗蚀剂组合物及其应用。
背景技术
光产酸剂是化学增幅型光致抗蚀剂的关键组成之一,其结构和性能对光刻图像有较大影响。非离子i线光产酸剂主要是磺酸酯类。其中,肟磺酸酯类光产酸剂在半导体领域中用作光引发剂已被广泛知悉,如JP2000066385A、JP2016169173A、CN1989455B、CN101473268A、CN112010788A等专利文献中公开了多种不同的肟磺酸酯光产酸剂。这些技术中很少能将光敏感区涵盖i-g线,或在i-g线的产酸率较低。随着对高精细化图案的要求,对于光产酸剂,须具有溶解性高、产酸率高、热稳定性匹配和化学稳定性好等条件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种感光度高,溶解性、热稳定性和化学稳定性更具优势的肟磺酸酯类光产酸剂,含有该光产酸剂的抗蚀剂组合物及其应用。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供一种肟磺酸酯类光产酸剂,具有如下通式(I)所示结构:
其中,
R1表示C1-C20的直链状或支链状的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20的直链状或支链状的氟代烷基、C3-C20的氟代环烷基、C6-C18的取代或未取代的芳基、樟脑基、樟脑醌基或叠氮萘酮基团;
R2与R2’可相同,也可不同,各自独立地选自下列基团:氢,卤素,C1-C20的直链状或支链状的烷基,C3-C20的环烷基,C2-C20的直链状或支链状的链烯基,C2-C20的直链状或支链状的炔基,C1-C20的直链状或支链状的烷氧基,C1-C20的直链状或支链状的烷硫基,C1-C20的直链状或支链状的卤代烷基,C1-C20的直链状或支链状的羟基取代烷基,C2-C20的直链状或支链状的羟基烷氧基取代烷基,被C6-C10的芳基或芳氧基取代的C1-C20烷基,被1个以上的-O-、-S-、-O-CO-或-CO-O-中断的C2-C20的直链状或支链状的烷基或烷氧基,取代或未取代的C6-C10芳基,C6-C20的芳基硫基,含有N、O和/或S的C2-C20的杂环基团;或者R2,R2’彼此相连以形成环;
R3选自下列基团:
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