[发明专利]一种裕度调整方法、裕度调整电路及存储器

说明书

本公开实施例提供了一种裕度调整方法、裕度调整电路及存储器，应用于包括多个延迟模块的存储器，该方法包括：确定电压参数和温度参数；通过预设时间裕度模型对电压参数和温度参数进行计算，得到目标延迟值；根据目标延迟值控制多个延迟模块的工作状态，以调整存储器的时间裕度。这样，根据实际工作条件适应性确定目标延迟值，期望存储器在各个工作条件下均有较好的时间裕度，提高存储器的可靠性。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种裕度调整方法、裕度调整电路及存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件。在DRAM出厂之前，需要对DRAM进行各种条件下的测试，并根据测试结果确定一个较好的延迟调整值，然后利用裕度调整电路固定延迟调整值，以保证DRAM进行正常工作。换句话说，延迟调整值一旦确定就无法更改，无法在不同的环境条件下达到最佳，影响了DRAM的性能。

发明内容

本公开提供了一种裕度调整方法、裕度调整电路及存储器，能够根据实际工作条件适应性确定目标延迟值，提高存储器的可靠性。

本公开的技术方案是这样实现的：

第一方面，本公开实施例提供了一种裕度调整方法，应用于包括多个延迟模块的存储器，所述方法包括：

确定电压参数和温度参数；

通过预设时间裕度模型对所述电压参数和所述温度参数进行计算，得到目标延迟值；

根据所述目标延迟值控制所述多个延迟模块的工作状态，以调整所述存储器的时间裕度。

在一些实施例中，所述确定电压参数和温度参数，包括：

获取当前电压和当前温度；

将所述当前电压和参考电压进行比较，生成所述电压参数；

对所述当前温度进行编码处理，生成所述温度参数。

在一些实施例中，所述参考电压包括第一电压阈值、第二电压阈值和第三电压阈值；所述将所述当前电压和参考电压进行比较，生成所述电压参数，包括：

在所述当前电压小于所述第一电压阈值的情况下，生成第一电压参数；

在所述当前电压大于或等于所述第一电压阈值且所述当前电压小于所述第二电压阈值的情况下，生成第二电压参数；

在所述当前电压大于或等于所述第二电压阈值且所述当前电压小于所述第三电压阈值的情况下，生成第三电压参数；

在所述当前电压大于或等于所述第三电压阈值的情况下，生成第四电压参数。

在一些实施例中，所述第一电压阈值为1.1伏特，所述第二电压阈值为1.2伏特，所述第三电压阈值为1.3伏特。

在一些实施例中，所述方法还包括：

对所述存储器进行时间裕度测试，得到测试结果；其中，所述测试结果包括所述存储器在不同温度和不同电压下的延迟值；

根据测试结果进行曲线拟合处理，确定初始时间裕度模型；其中，所述初始时间裕度模型包括模型参数的初始结果；

对所述模型参数的初始结果进行移位简化处理，得到所述模型参数的目标结果；

根据所述模型参数的目标结果，得到所述预设时间裕度模型；其中，所述预设时间裕度模型用于表征温度、电压和延迟值之间的关系。

在一些实施例中，所述模型参数包括第一模型参数和第二模型参数；其中，所述第一模型参数用于描述电压与延迟值的关系，所述第二模型参数用于描述温度与延迟值的关系；