[发明专利]一种体声波谐振器、制备方法以及滤波器、制备方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，其中，所述衬底的表面或者内部设置有声反射结构；

在所述衬底之上依次形成下电极、压电层和上电极；

在所述上电极背离所述压电层的表面形成掩膜层，其中，所述掩膜层设置有框架结构窗口，所述框架结构窗口包括第一窗口；

形成凸起结构膜层，其中，所述凸起结构膜层位于所述掩膜层的表面以及上电极上所述第一窗口内，位于上电极上所述第一窗口内的凸起结构膜层为凸起结构；

去除所述掩膜层以及所述掩膜层表面的凸起结构膜层。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述框架结构窗口还包括第二窗口，在所述上电极背离所述压电层的表面形成掩膜层包括：

在所述上电极背离所述压电层的表面依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；

在所述第二掩膜层形成第一窗口的第一部分；

在所述第一掩膜层形成第一窗口的第二部分以及第二窗口，其中，所述第一窗口和所述第二窗口连通，且所述第二窗口位于所述第一窗口的内侧和外侧。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，去除所述掩膜层以及所述掩膜层表面的凸起结构膜层包括：

去除所述第二掩膜层以及所述第二掩膜层表面的凸起结构膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜版，在上电极表面形成凹陷结构，其中，所述凹陷结构在所述衬底的正投影和所述第二窗口在所述衬底的正投影重合，所述凹陷结构的深度小于所述上电极的厚度；

去除所述第一掩膜层。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，去除所述掩膜层以及所述掩膜层表面的凸起结构膜层之后还包括：

去除所述体声波谐振器工作区域边缘之外的凸起结构和上电极，保留所述体声波谐振器的工作区域内的凸起结构和上电极。

5.根据权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述第一掩膜层形成第一窗口的第二部分以及第二窗口包括：

在所述第一掩膜层形成第一窗口的第二部分；

通过湿法腐蚀工艺，对所述第一掩膜层的侧壁进行腐蚀以形成第二窗口，其中，所述第一窗口和所述第二窗口连通，且所述第二窗口位于所述第一窗口的内侧和外侧。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的速率大于或等于且小于或等于

7.根据权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括不掺杂的二氧化硅、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃以及光刻胶中的任意一种；

所述第二掩膜层包括光刻胶。

8.根据权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，

所述第一掩膜层的厚度大于或等于且小于或等于2um；

所述第二掩膜层的厚度大于或等于且小于或等于10um。

9.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

所述滤波器包括至少一个体声波谐振器，其中，所述体声波谐振器的制备方法如权利要求1-8任一所述的体声波谐振器的制备方法。

10.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底，其中，所述衬底的表面或者内部设置有声反射结构；

下电极、压电层和上电极，所述下电极、压电层和上电极依次设置在所述衬底之上；

框架结构，所述框架结构包括凸起结构，所述凸起结构位于所述上电极的表面；

所述凸起结构的制备方法包括：在所述上电极背离所述压电层的表面形成掩膜层，其中，所述掩膜层设置有框架结构窗口，所述框架结构窗口包括第一窗口；

形成凸起结构膜层，其中，所述凸起结构膜层位于所述掩膜层的表面以及上电极上所述第一窗口内，位于上电极上所述第一窗口内的凸起结构膜层为凸起结构；

去除所述掩膜层以及所述掩膜层表面的凸起结构膜层。