[发明专利]晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法

说明书

本申请实施方式提供了一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法，包括：确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据；采用待分析的检测系统对缺陷晶圆进行缺陷检测以获取样本检测数据；以及根据样本检测数据和标准检测数据确定待分析的检测系统的可靠性。本申请提供的可靠性确定方法中标准缺陷数据是基于实际量产的缺陷晶圆获得的，而实际量产的晶圆所具有的缺陷更能体现真实的晶圆缺陷，使得标准检测数据的真实性更高，对待分析的检测系统的可靠性评估更加准确。

技术领域

本申请涉及检测系统的可靠性分析技术领域，更具体地，涉及一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法。

背景技术

半导体元件的制造过程通常区分有前段制程与后段制程，前段制程主要包含晶圆处理制程(Wafer Fabrication，Wafer Fab)及晶圆针测制程(Wafer Probe)，后段制程则主要包含IC构装制程(IC Packaging)及具有初步测试(Initial Test)与最终测试的测试制程等几个步骤。

在Wafer Fab工艺中，缺陷扫描机台使用频率高，其结果通常作为问题分析与良率改进的重要依据，但是其检测结果的可依靠程度却没有一个系统而科学的方案来度量。

发明内容

本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题的晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法。

本申请提供了一种晶圆缺陷检测系统的可靠性确定方法，包括：确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据；采用待分析的检测系统检测缺陷晶圆以获取样本检测数据；以及根据样本检测数据和标准检测数据确定待分析的检测系统的可靠性。

在一些实施方式中，确定量产的缺陷晶圆的标准检测数据，包括：采用标准的检测系统对缺陷晶圆进行缺陷检测，得到原始检测数据库；以及从原始检测数据库中确定多个缺陷数据和多个非缺陷数据，所确定的多个缺陷数据和多个非缺陷数据构成标准检测数据，其中，多个缺陷数据的个数大于多个非缺陷数据的个数。

在一些实施方式中，缺陷数据包括缺陷的位置在缺陷晶圆中的相对坐标以及缺陷的标识；非缺陷数据包括非缺陷的位置在缺陷晶圆中的相对坐标以及非缺陷的标识。

在一些实施方式中，标准的检测系统包括扫描机台，原始检测数据库包括采用扫描机台对缺陷晶圆进行多次缺陷扫描所获得的多个缺陷图像；其中，从原始检测数据库中确定多个缺陷数据和多个非缺陷数据，包括：将多个缺陷图像堆叠以确定出：在每个缺陷图像中具有相同的相对坐标、以及缺陷的标识的多个缺陷位置；以及在每个缺陷图像中具有相同的相对坐标、以及非缺陷的标识的多个非缺陷位置；其中，多个缺陷位置的相对坐标以及缺陷的标识构成缺陷数据；多个非缺陷位置的相对坐标以及非缺陷的标识构成非缺陷数据。

在一些实施方式中，缺陷晶圆包括中心区域和外周区域；多个缺陷位置和多个非缺陷位置分散位于中心区域和外周区域内。

在一些实施方式中，缺陷晶圆的表面包括多个分区，多个缺陷位置和多个非缺陷位置位于多个分区内，其中1个分区位于中心区域内，其它分区均布在外周区域内。

在一些实施方式中，多个缺陷数据的个数与多个非缺陷数据的个数的总和大于等于30。

在一些实施方式中，采用待分析的检测系统检测缺陷晶圆以获取样本检测数据，包括：采用待分析的检测系统对缺陷晶圆进行检测，获取缺陷晶圆的多个缺陷位置和多个非缺陷位置的检测结果；标识多个缺陷位置处的检测结果；以及标识多个非缺陷位置处的检测结果。

在一些实施方式中，样本检测数据包括多个子样本检测数据库，多个子样本检测数据库为采用多个待分析的检测系统对缺陷晶圆进行检测，分别获取缺陷晶圆的多个缺陷位置和多个非缺陷位置处的检测结果，并对检测结果进行缺陷标识和非缺陷标识获得。