[发明专利]监测电路、集成电路及其监测保护方法在审
申请号: | 202210190762.7 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114609507A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 王健铭 | 申请(专利权)人: | 海宁奕斯伟集成电路设计有限公司;北京奕斯伟计算技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/30;G01R31/303;H02H9/04 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 电路 集成电路 及其 保护 方法 | ||
本申请提供了一种监测电路、集成电路及其监测保护方法。监测电路包括:静噪滤波器,电压传感器和锁存器;静噪滤波器用于吸收第一电压信号端和第二电压信号端能量;电压传感器用于在静噪滤波器吸收第一电压信号端和第二电压信号端能量后,检测第一电压信号端和第二电压信号端之间的电压波动,当电压波动满足设定条件时,输出调整信号给锁存器;锁存器被配置为接收到调整信号后,输出端输出第一逻辑状态,以确定发生了静电放电事件。本申请监测电路通过识别电源电压变化监测静电放电事件,进而触发保护机制对集成电路进行保护,避免了静电放电事件对集成电路造成损害。
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,具体而言,本申请涉及一种监测电路、集成电路及其监测保护方法。
背景技术
ESD(Electrostatic Discharge,静电放电),是在处于不同电势的两个物体之间流动的突发瞬时电流,在诸如集成电路等固态电子产品中,ESD事件属于严重问题。集成电路的制造材料是半导体材料,通常为硅,在经受ESD事件造成的高电压时,可能会遭到永久性损坏。
在集成电路的生产过程中,可能会发生ESD事件,ESD事件发生后,施加到集成电路的电压可轻松达到5000伏以上,这足以损坏许多集成电路,在实际生产过程中,一旦发生ESD事件,则会导致集成电路损坏。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种监测电路、集成电路及其监测保护方法,用以对ESD事件进行监测,解决现有技术发生ESD事件导致集成电路损坏的技术问题。
在第一方面,本申请提供了一种监测电路,包括:静噪滤波器,电压传感器和锁存器;
所述静噪滤波器分别连接第一电压信号端和第二电压信号端,用于吸收所述第一电压信号端和所述第二电压信号端能量;
所述电压传感器,用于在所述静噪滤波器吸收所述第一电压信号端和所述第二电压信号端能量后,检测所述第一电压信号端和所述第二电压信号端之间的电压波动,当所述电压波动满足设定条件时,输出调整信号给所述锁存器;
所述锁存器,被配置为接收到所述调整信号后,输出端输出第一逻辑状态,以确定发生了静电放电事件。
可选的,还包括复位模块和电流限制模块;
所述第一电压信号端对应的第一电压为高电平电压,所述第二电压信号端对应的第二电压为低电平电压;
所述复位模块,用于在复位阶段,根据复位信号控制所述锁存器的输出端输出第二逻辑状态,所述第二逻辑状态与所述第一逻辑状态相反;
所述电流限制模块,用于在发生静电放电事件时,阻断由所述第二电压信号端流向所述第一电压信号端的电流,并根据所述锁存器的输出生成监测信号。
可选的,若所述电压波动满足所述第一电压和所述第二电压的电压差增大且在第一预设范围内时,所述电压传感器输出调整信号给所述锁存器,所述锁存器被配置为接收到所述调整信号后,输出端输出由第二逻辑状态转换为第一逻辑状态;
若所述第一电压和所述第二电压的电压差减小且在第二预设范围内且所述锁存器当前输出端输出为第一逻辑状态时,所述锁存器还被配置为维持输出端输出第一逻辑状态;以及,
若所述第一电压和所述第二电压的电压差减小且在第三预设范围内时,所述锁存器处于非工作状态,且所述锁存器还被配置为输出端处于浮置状态或输出负电位信号,以确定发生了静电放电事件。
可选的,所述静噪滤波器包括:第一电阻、第二电阻和第一电容;
所述第一电阻的第一端连接所述第一电压信号端,所述第一电阻的第二端连接所述第一电容的第一端;
所述第二电阻的第一端连接所述第二电压信号端,所述第二电阻的第二端连接所述第一电容器的第二端;
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