[发明专利]基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210190204.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114823920A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;侯斌;常青原;杨凌;张濛;武玫;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/267;H01L23/373;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 金刚石 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，包括n+-Ga2O3衬底层(1)、n--Ga2O3层(2)、p+型金刚石层(3)、p++型金刚石层(4)、阴极层(5)和阳极层(6)，其中，
所述阴极层(5)、所述n+-Ga2O3衬底层(1)、所述n--Ga2O3层(2)和所述p+型金刚石层(3)自下而上依次设置，所述p++型金刚石层(4)设置在所述p+型金刚石层(3)上表面，且所述p++型金刚石层(4)上开设有多个沟槽(7)，所述阳极层(6)覆盖在所述多个沟槽(7)内部和所述p++型金刚石层(4)的上表面；
所述n--Ga2O3层(2)的掺杂浓度小于所述n+-Ga2O3衬底层(1)的掺杂浓度，所述p++型金刚石层(4)的掺杂浓度大于所述p+型金刚石层(3)的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，所述多个沟槽(7)在所述p++型金刚石层(4)上呈均匀阵列排布。
3.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，所述沟槽(7)的深度小于或等于所述p++型金刚石层(4)的深度。
4.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，所述n--Ga2O3层(2)的掺杂浓度为1015～1016cm-3；所述n+-Ga2O3衬底层(1)的掺杂浓度为1018～1020cm-3。
5.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，所述p+型金刚石层(3)的掺杂浓度为1017～1019cm-3，所述p++型金刚石层(4)的掺杂浓度为1019～1021cm-3。
6.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，其特征在于，所述p+型金刚石层(3)的厚度为1～3μm，所述p++型金刚石层(4)的厚度为2～5μm。
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