[发明专利]一种器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请提供了一种器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质，涉及器件仿真技术领域。当接收到单指栅宽为X的半导体器件模型时，将半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型，其中，n个半导体器件子模型串联，X＞0，n＞2且n为整数；依次确定aX/n处的电位，其中，a＜n，且a为自然数。本申请提供的器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质具有能够更加灵活的确定电位的优点。

技术领域

本申请涉及器件仿真技术领域，具体而言，涉及一种器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

器件模型是半导体器件特性预测和电路设计优化的核心。准确的模型预测可以对提高器件的电路性能和缩短产品开发周期有重要的作用。而GaN HEMT主要工作于大功率，高效率的微波电路乃至毫米波电路之中。其高压，高温工作特点以及氮化镓器件特有的崩塌效应对器件模型的准确性提出了更高的挑战。

目前，一般采用Angelov模型实现器件模型仿真。基于能够优先再现实验结果为目标，通过对HEMT的Ids-Vgs关系引入双曲线函数等方法提出了Angelov模型。该模型良好的参数提取与模型收敛性，以及根据GaAs和GaN之间的特性区别进行公式完善使得该模型成为近年来广泛应用的场效应管大信号模型。

然而，现有的Angelov模型只能确定出单指栅宽两端处的电位分布，不能确定单指栅宽中间点的电位。而如果在不能确定单指栅宽中间点电位的情况下进行Pin-Pout特性仿真的话，无法正确算出单指栅宽缩短所引起的栅指内部电位平衡，相位平衡的改善。进而无法计算出单指栅宽缩短而引起的漏极效率提高。

综上，现有技术中Angelov模型无法正确计算出单指栅宽缩短而引起的漏极效率提高，同时无法用来进行正确的Layout设计。

发明内容

本申请的目的在于提供一种器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质，以解决现有技术中存在的Angelov模型的无法用来进行正确的Layout设计的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种器件模型仿真方法，所述方法包括：

当接收到单指栅宽为X的半导体器件模型时，将所述半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型，其中，n个半导体器件子模型串联，X＞0，n＞2且n为整数；

依次确定aX/n处的电位，其中，a＜n，且a为自然数。

可选地，在将所述半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型的步骤之后，所述方法还包括：

当所述半导体器件模型包括电感与电阻时，在n个半导体器件子模型中也建立电感与电阻，且所述半导体器件子模型中电感与电阻的值为所述半导体器件模型中电感与电阻的值的1/n；

当所述半导体器件模型包括电容时，在n个半导体器件子模型中也建立电容，且所述半导体器件子模型中的电容值为所述半导体器件模型中电容值的n倍。

可选地，所述方法还包括：

建立所述半导体器件子模型中电感、电阻以及电容的系数；

对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的S参数仿真结果与所述半导体器件模型的S参数仿真结果相同。

可选地，所述对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的S参数仿真结果与所述半导体器件模型的S参数仿真结果相同的步骤包括：

对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的输入反射系数、反向传输系数、以及正向传输系数的仿真结果与所述半导体器件模型的仿真结果相同；或