[发明专利]一种器件模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种器件模型仿真方法，其特征在于，所述方法包括：

当接收到单指栅宽为X的半导体器件模型时，将所述半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型，其中，n个半导体器件子模型串联，X＞0，n＞2且n为整数；

依次确定aX/n处的电位，其中，a＜n，且a为自然数。

2.如权利要求1所述的器件模型仿真方法，其特征在于，在将所述半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型的步骤之后，所述方法还包括：

当所述半导体器件模型包括电感与电阻时，在n个半导体器件子模型中也建立电感与电阻，且所述半导体器件子模型中电感与电阻的值为所述半导体器件模型中电感与电阻的值的1/n；

当所述半导体器件模型包括电容时，在n个半导体器件子模型中也建立电容，且所述半导体器件子模型中的电容值为所述半导体器件模型中电容值的n倍。

3.如权利要求2所述的器件模型仿真方法，其特征在于，所述方法还包括：

建立所述半导体器件子模型中电感、电阻以及电容的系数；

对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的S参数仿真结果与所述半导体器件模型的S参数仿真结果相同。

4.如权利要求3所述的器件模型仿真方法，其特征在于，所述对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的S参数仿真结果与所述半导体器件模型的S参数仿真结果相同的步骤包括：

对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的输入反射系数、反向传输系数、以及正向传输系数的仿真结果与所述半导体器件模型的仿真结果相同；或

对所述系数进行调整，直至n个半导体器件子模型在目标使用频率范围内的输入反射系数、反向传输系数、正向传输系数以及输出反射系数的仿真结果与所述半导体器件模型的仿真结果相同。

5.如权利要求1所述的器件模型仿真方法，其特征在于，在所述依次确定aX/n处的电位的步骤之前，所述方法还包括：

当接收到单指源宽为Y的半导体器件模型时，将所述半导体器件模型分割为n个单指源宽为Y/n的半导体器件子模型，其中，n个半导体器件子模型串联，Y＞0，n＞2且n为整数。

6.如权利要求5所述的器件模型仿真方法，其特征在于，所述将所述半导体器件模型分割为n个单指源宽为Y/n的半导体器件子模型的步骤之后，所述方法还包括：

当所述半导体器件模型的单指源宽的宽度小于阈值时，将连接两个分割之后源极的TLM切割为(n-1)个。

7.一种器件模型仿真装置，其特征在于，所述装置包括：

模型分割单元，用于当接收到单指栅宽为X的半导体器件模型时，将所述半导体器件模型分割为n个单指栅宽为X/n的半导体器件子模型，其中，n个半导体器件子模型串联，X＞0，n＞2且n为整数；

电位确定单元，用于依次确定aX/n处的电位，其中，0＜a＜n，且a为整数。

8.如权利要求6所述的器件模型仿真装置，其特征在于，模型分割单元还用于当所述半导体器件模型包括电感与电阻时，在n个半导体器件子模型中也建立电感与电阻，且所述半导体器件子模型中电感与电阻的值为所述半导体器件模型中电感与电阻的值的1/n；

模型分割单元还用于当所述半导体器件模型包括电容时，在n个半导体器件子模型中也建立电容，且所述半导体器件子模型中的电容值为所述半导体器件模型中电容值的n倍。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储一个或多个程序；

处理器；

当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1-6中任一项所述的器件模型仿真方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的器件模型仿真方法。