[发明专利]一种低介电硅灰石系低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210188646.1 申请日: 2022-02-28
公开(公告)号: CN114573333B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 李进;余祖高;谭金刚;石珊;陆建军;童建喜 申请(专利权)人: 嘉兴佳利电子有限公司
主分类号: C04B35/22 分类号: C04B35/22;C04B35/622
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 徐金杰
地址: 314003 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 低介电硅灰石系 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低介电硅灰石系低温共烧陶瓷材料,其特征在于,该低温共烧陶瓷材料的配方表达式为:CaxSiO3+awt%SiO2+bwt%R2O+cwt%Bi2O3+dwt%B2O3+ewt%MO;其中:

主相陶瓷材料的组成为:CaxSiO3,且0.9≤x<1.0;

0a≤30,1≤b≤5,0c≤3,0d≤6,0e≤10;a、b、c、d和e分别为SiO2、R2O、Bi2O3、B2O3和MO相占CaxSiO3的质量分数;

R2O为Li2O、K2O中的至少一种;

MO为ZnO、MgO、BaO、CoO、CuO、La2O3、MnO2中的一种或多种;

SiO2为石英和熔融石英中的至少一种;

制备方法包括以下步骤:

1)主相陶瓷CaxSiO3的合成:按化学式CaxSiO3计量比称量原材料CaCO3和SiO2,以去离子水为溶剂,球磨混合16~24h后干燥再过40目筛,粉碎均匀后装入氧化铝坩埚在900℃~1300℃下煅烧2~4h合成主相陶瓷,研磨后作为陶瓷基料备用;

2)烧结助剂的合成:按bwt%R2O+cwt%Bi2O3+dwt%B2O3+ewt%MO的相对质量分数比,称取Li2CO3、K2CO3、Bi2O3、B2O3或H3BO3、ZnO、MgO或Mg(OH)2、BaCO3、CoO或Co2O3、CuO、La2O3、MnO2或MnCO3原料,按混合料与无水乙醇的质量比1:1~1.5加入乙醇,采用湿法混料16-24h后于80℃烘干,将烘干的混合料过40目筛,装入氧化铝坩埚,在500-700℃下煅烧2-4h,研磨后作为烧结助剂备用;其中1≤b≤5,0c≤3,0d≤6,0e≤10,b、c、d和e分别为R2O、Bi2O3、B2O3和MO相占CaxSiO3的质量分数;

3)制备好的主相CaxSiO3陶瓷、SiO2和氧化物助烧剂按CaxSiO3+awt%SiO2+bwt%R2O+cwt%Bi2O3+dwt%B2O3+ewt%MO的质量配比进行混合,以ZrO2球为磨介,以乙醇为溶剂,球磨混料16~24h后干燥,加入重量含量为5%~8%的聚乙烯醇粘合剂研磨造粒,过筛后在80~120MPa压力下压制成直径20mm,厚度10mm的坯体,在850℃~950℃空气气氛下烧结1~3h,即得到所述低介电硅灰石系低温共烧陶瓷材料,其中a、b、c、d和e分别为SiO2、R2O、Bi2O3、B2O3和MO相占CaxSiO3的质量分数。

2.根据权利要求1所述的一种低介电硅灰石系低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述SiO2为熔融石英。

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