[发明专利]非易失性存储器及其编程方法、计算机系统

说明书

本发明提供非易失性存储器及其编程方法、计算机系统。非易失性存储器的编程方法包括：对目标编程页面的存储单元施加编程脉冲的编程步骤；对施加编程脉冲后的存储单元进行编程验证，判断存储单元是否被编程的编程验证步骤；及对目标编程页面进行逐列扫描，判断对目标编程页面的编程操作是否成功的数据扫描步骤，重复编程步骤、编程验证步骤及数据扫描步骤，直至对目标编程页面的编程操作成功，该编程方法中，将目标编程页面的存储单元按列划分为多个数据块，在数据扫描步骤中，对各数据块依次进行扫描以判断数据块是否编程成功，在判断为数据块编程成功时，进行下一数据块的扫描，在判断为数据块编程失败时，停止数据扫描。

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术，更具体而言涉及一种非易失性存储器及其编程方法、计算机系统。

背景技术

半导体存储器设备一般可以被分类为易失性(volatile)存储器和非易失性(NV：Non-Volatile)存储器。易失性存储器(诸如DRAM、SRAM等)在缺乏所施加的电力的情况下会丢失存储的数据。相反，非易失性存储器(诸如EEPROM、EAROM、PROM、EPROM、NAND设备等)能够在缺乏所施加的电力的情况下保持存储的数据。随着可携带电子产品(例如个人计算机、智能手机、数码相机、多媒体播放设备等等)的发展，对非易失性存储器的需求越来越大，对其性能的要求也越来越高。

在非易失性存储器中，有读取/编程/擦除三种基本操作。其中，读取/编程操作比擦除更频繁。因此，读取/编程时间在非易失性存储器中至关重要。读取操作的时间几乎是固定的。所以降低编程时间比降低读取时间更重要。

通常，作为编程方式，可以使用增量步进脉冲编程(Incremental Step PulseProgram，ISPP)方式。ISPP方式如图1所示，对选择页面施加初始的编程脉冲，通过编程验证判断存储单元是否被编程，在判定为编程不合格的情况下，施加比初始的编程脉冲高一阶电压的编程脉冲，使编程脉冲的电压依序增加，直至在逐列读出(也称为数据扫描)步骤中判定为页面内的所有存储单元的编程合格为止。

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，目前的数据扫描方式中，每次均扫描所有存储单元，使得总扫描时间较长，存在非易失性存储器的编程时间变长的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种可以降低非易失性存储器的编程时间中的数据扫描时间的非易失性存储器的编程方法、非易失性存储器及计算机系统。

解决技术问题的技术方案

本发明提供一种非易失性存储器的编程方法，其包括：对目标编程页面的存储单元施加编程脉冲的编程步骤；对施加编程脉冲后的存储单元进行编程验证，判断存储单元是否被编程的编程验证步骤；及对所述目标编程页面进行逐列扫描，判断对所述目标编程页面的编程操作是否成功的数据扫描步骤，重复所述编程步骤、所述编程验证步骤及所述数据扫描步骤，直至对所述目标编程页面的编程操作成功，该编程方法中，将所述目标编程页面的所述存储单元按列划分为多个数据块，在所述数据扫描步骤中，对各数据块依次进行扫描以判断数据块是否编程成功，在判断为数据块编程成功时，进行下一数据块的扫描，在判断为数据块编程失败时，停止数据扫描。

优选为，在所述数据扫描步骤中，在判断为数据块编程成功时，对该数据块设置通过标记，在判断为数据块编程失败时，对该数据块设置失败标记，在下一个所述数据扫描步骤中，跳过设置有通过标记的数据块，从设置有失败标记的数据块开始进行数据扫描。

优选为，将各数据块的通过标记和失败标记作为通过失败信息存储在标记存储器中，在每次进行所述数据扫描步骤后，对所述标记存储器进行更新。

优选为，所述标记存储器中，初始时将所有数据块的通过失败信息设置为失败标记。