[发明专利]一种芯片工艺角检测电路、方法和芯片

权利要求书

1.一种芯片工艺角检测电路，其特征在于，该电路包括：对称振荡环RO及至少两个非对称振荡环ARO1和ARO2；

所述对称振荡环RO，用于根据振荡次数检测所述芯片的SS、TT、FF工艺角，所述振荡次数是通过所述对称振荡环RO对应的计数单元获取；

所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2，用于根据振荡次数检测所述芯片的FS、SF工艺角，所述振荡次数是通过所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2分别对应的计数单元获取。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述对称振荡环RO、所述非对称振荡环ARO1及所述非对称振荡环ARO2各自都包括至少三个密勒单元。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述非对称振荡环ARO1的密勒单元包括：采用低阈值电压器件模型的上拉PMOS，和采用常规阈值电压器件模型的下拉NMOS；

所述非对称振荡环ARO2的密勒单元包括：采用常规阈值电压器件模型的上拉PMOS，和采用低阈值电压器件模型的下拉NMOS；

所述对称振荡环RO的密勒单元包括：采用低阈值电压器件模型的上拉PMOS和下拉NMOS。

4.根据权利要求2或3所述的电路，其特征在于，

所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2为对密勒单元中的器件模型参数进行了非对称配置。

5.根据权利要求2或3所述的电路，其特征在于，

基于至少三个密勒单元的振荡环包括初始预置模式和闭环起振模式，所述初始预置为通过外部信号预置振荡环的振荡频率。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述对称振荡环RO、所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2分别还包括反相器和数据选择器，所述数据选择器用于接收数据输入。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述计数单元具有锁存功能，用于对测量值进行存取。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，该电路还包括：

复位单元，所述复位单元用于分别使能所述对称振荡环RO、所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2，以及对所述对称振荡环RO、所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2分别对应的计数单元进行锁存清零。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述非对称振荡环ARO1、所述非对称振荡环ARO2和所述对称振荡环RO中的至少一者的供电电压为1.1V。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

该电路还包括频率设置信号，用于设置所述对称振荡环RO、所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2的起振频率。

11.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2，用于根据振荡次数检测所述芯片的FS、SF工艺角，包括：

测量所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2在时钟周期内的振荡次数；

当所述非对称振荡环ARO1振荡次数大于0，且所述非对称振荡环ARO2的振荡次数等于0，则该芯片处于FS工艺角；

当所述非对称振荡环ARO1振荡次数等于0，且所述非对称振荡环ARO2的振荡次数大于0，则该芯片处于SF工艺角；

当所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2的振荡次数均大于0，计算ARO1与ARO2振荡次数的比值，如果该比值在阈值参数区间内，则该芯片处于对称工艺角，如果该比值不在阈值参数区间内，则该芯片处于非对称工艺角；

所述阈值参数区间根据所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2在SS工艺角、TT工艺角和FF工艺角下振荡次数的比值确定。