[发明专利]具有输入侧谐波终端电路的功率晶体管装置和放大器

说明书

一种RF放大器包括放大器输入，具有晶体管和晶体管输入端的晶体管管芯，耦合在所述放大器输入与所述晶体管输入端之间的基本频率阻抗匹配电路，以及耦合在所述晶体管输入端与接地参考节点之间的谐波频率终端电路。所述谐波频率终端电路包括耦合在所述晶体管输入端与第一节点之间的第一电感和耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的储能电路。所述储能电路包括耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的第一电容和耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的第二电感。所述储能电路被配置成分流二次谐波频率下或约二次谐波频率下的信号能量，同时对所述RF放大器的基本工作频率下的信号能量呈现为开路。

技术领域

本文所描述的主题的实施例大体上涉及射频(RF)放大器，且更具体地说，涉及具有谐波频率终端电路的功率晶体管装置和放大器。

背景技术

无线通信系统采用用于增加射频(RF)信号的功率的功率放大器。通常在功率放大器的输入处实施输入阻抗匹配电路以实现最佳性能。在包括特征在于非线性输入电容的功率晶体管装置的放大器中，功率晶体管可在放大器的基本工作频率的谐波下，且具体地说在二次谐波频率下生成相当大的不合需要的信号能量。这种不合需要的二次谐波频率信号能量可能会限制放大器的可实现的性能。因此，二次谐波终端电路可在包括具有非线性输入电容的功率晶体管装置的功率放大器设计的总体性能中起重要作用。然而，常规的二次谐波终端电路可能会不合需要地与输入阻抗匹配电路相互作用，这可能会降低放大器性能。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种射频(RF)放大器，包括：

放大器输入；

具有晶体管和晶体管输入端的晶体管管芯；

耦合在所述放大器输入与所述晶体管输入端之间的基本频率阻抗匹配电路；以及

耦合在所述晶体管输入端与接地参考节点之间的谐波频率终端电路，其中所述谐波频率终端电路包括耦合在所述晶体管输入端与第一节点之间的第一电感和耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的储能电路，其中所述储能电路包括耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的第一电容和耦合在所述第一节点与所述接地参考节点之间的第二电感。

在一个或多个实施例中，所述储能电路被配置成分流二次谐波频率下或约二次谐波频率下的信号能量，同时对所述RF放大器的基本工作频率下的信号能量呈现为开路。

在一个或多个实施例中，所述储能电路被配置成针对所述RF放大器的基本工作频率下的信号能量用作到接地的高阻抗路径，并且针对二次谐波频率下或约二次谐波频率下的信号能量用作到接地的低阻抗路径。

在一个或多个实施例中，所述基本频率阻抗匹配电路包括：

耦合在所述放大器输入与第二节点之间的第三电感；

耦合在所述第二节点与所述晶体管输入端之间的第四电感；

耦合在所述第二节点与接地参考端之间的第二电容；以及

耦合在所述晶体管输入端与所述接地参考节点之间的第五电感。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器另外包括：

在所述晶体管输入端与所述接地参考节点之间与所述第五电感串联耦合的第三电容。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器另外包括：

在所述第一节点与所述接地参考节点之间与所述第二电感串联耦合的第一DC阻隔电容器。

在一个或多个实施例中，所述晶体管具有非线性输入电容。

在一个或多个实施例中，所述晶体管为氮化镓晶体管。

根据本发明的第二方面，提供一种封装射频(RF)放大器装置，包括：