[发明专利]一种无标型免疫传感器及其制备方法、应用与应用方法

权利要求书

1.一种无标型免疫传感器，其特征在于，所述无标型免疫传感器是以玻碳电极为基底，依次修饰Cu₂S/Pd/CuO、癌胚抗原抗体、牛血清蛋白以及癌胚抗原而得。

2.一种无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括：

将Cu₂S/Pd溶液加到经抛光处理后的玻碳电极的表面进行孵育处理，得Cu₂S/Pd修饰玻碳电极；

将所述Cu₂S/Pd修饰玻碳电极以及过氧化氢溶液置于磷酸盐缓冲液中进行反应，得到Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极；

在所述Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极表面依次修饰癌胚抗原抗体、牛血清蛋白以及癌胚抗原，即得。

3.如权利要求2所述的无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述将Cu₂S/Pd溶液加到经抛光处理后的玻碳电极表面进行孵育处理，得Cu₂S/Pd修饰玻碳电极的步骤，具体为：

将1～3mg/mL、6μL的Cu₂S/Pd溶液加到经抛光处理后的玻碳电极表面进行孵育处理，4℃干燥，得Cu₂S/Pd修饰玻碳电极。

4.如权利要求2或3所述的无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述Cu₂S/Pd的制备方法为：

将7.2mg Cu₂S和50mg聚乙烯吡咯烷酮添加到8ml二次去离子水中，然后加入浓度10mmol/L的5ml Na₂PdCl₄，搅拌20min后经清洗、真空干燥，即得。

5.如权利要求4所述的无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述Cu₂S的制备方法为：

用30mL乙二胺溶解1mmol CuCl₂·2H₂O，加入3mmol硫脲，室温下用磁力搅拌器搅拌2h后，转移到高压釜中于80℃下反应8h，经离心、清洗、冷冻干燥，即得。

6.如权利要求2所述的无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述将所述Cu₂S/Pd修饰玻碳电极以及过氧化氢溶液置于磷酸盐缓冲液中进行反应，得到Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极的步骤，具体为：

将所述Cu₂S/Pd修饰玻碳电极置于10mL磷酸盐缓冲液中，计时安培法将30～50μL过氧化氢溶液注入磷酸盐缓冲液中，PH＝6.81磷酸盐缓冲液清洗电极表面，干燥，得到Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极。

7.如权利要求2所述的无标型免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极表面依次修饰癌胚抗原抗体、牛血清蛋白以及癌胚抗原，即得的步骤，具体为：

将6.0μL、1～3mg/mL的癌胚抗原抗体滴加到所述Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极的表面，4℃干燥，pH＝6.81磷酸盐缓冲液清洗电极表面；

继续将3.0μL、0.8～1.2wt％的牛血清蛋白溶液滴加到所述Cu₂S/Pd/CuO修饰玻碳电极的表面，用以封闭电极表面上非特异性活性位点，pH＝6.81磷酸盐缓冲液冲洗电极表面，4℃干燥，PH＝6.81磷酸盐缓冲液清洗电极表面；

继续滴加6.0μL、100fg/mL～100ng/mL的一系列不同浓度的癌胚抗原溶液，4℃孵育60min，pH＝6.81磷酸盐缓冲液清洗电极表面，即得。