[发明专利]一种考虑温度的双重保护电路的电源及保护方法在审
申请号: | 202210174640.9 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114583662A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 宋积文;陈胜利;张亮;佟萌 | 申请(专利权)人: | 中海油信息科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12;H02H3/087;H02H5/04;H02H3/06 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 孙楠 |
地址: | 100027 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 考虑 温度 双重 保护 电路 电源 方法 | ||
本发明涉及一种考虑温度的双重保护电路的电源及保护方法,其包括:降压模块,其输入端与外接电源连接,保险丝串联在所述外接电源与所述降压模块连接通路中;温度保护模块,包括温度传感器芯片和控制单元;所述降压模块的输出端经控制单元与所述温度传感器芯片连接,所述温度传感器芯片将输出的感应温度信号传输至所述控制单元,所述控制单元控制所述降压模块的输出状态。本发明能够实现耐受电和热冲击的双重保护,且电路能够自行恢复,可以广泛在电路保护技术领域中应用。
技术领域
本发明涉及一种电路保护技术领域,特别是关于一种考虑温度的双重保护电路的电源及保护方法。
背景技术
随着电子科技的飞速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而所有电子设备都离不开高可靠的电源,但是由于开关电源中控制电路比较复杂,晶体管和集成器件以及功率变换器件的耐受电、热冲击的能力较差,在使用过程中给用户带来很大不便,存在过高温危险及着火等安全隐患会造成用户人身安全及财产损失。
现有技术中,一般会在增加过压、过流保护模块,实现对电路过载或短路的保护,或者是增加包括两级温度保护的保护模块,可有效杜绝因温度过高而造成的危险和隐患。但没有同时考虑过压、过流保护和温度因素对电路影响的保护电路,只能满足单一要求的保护,要么是对电路过载或短路的保护,或者是过温保护,实现耐受电保护的同时不能实现热冲击保护,并且在环境恢复正常后,电路不能自行恢复。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种考虑温度的双重保护电路的电源及保护方法,能够实现耐受电和热冲击的双重保护,且电路能够自行恢复。
为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种考虑温度的双重保护电路的电源,其包括:降压模块,其输入端与外接电源连接,保险丝串联在所述外接电源与所述降压模块连接通路中;温度保护模块,包括温度传感器芯片和控制单元;所述降压模块的输出端经控制单元与所述温度传感器芯片连接,所述温度传感器芯片将输出的感应温度信号传输至所述控制单元,所述控制单元控制所述降压模块的输出状态。
进一步,所述降压模块与所述控制单元之间连接有整流滤波模块。
进一步,所述整流滤波模块包括并联设置的电感、电容和二极管;所述电感的一端与所述降压模块连接,另一端与所述电容和所述二极管并联后作为电压输出端;
所述电容采用极性电容,其负极端接地,正极端与所述电感和所述二极管并联;
所述二极管采用稳压二极管,其正极接地,负极与所述电感和所述电容并联。
进一步,所述控制单元包括上拉电阻、NMOS管和PMOS管;
所述温度传感器芯片的输出端与所述NMOS管的G级连接,所述NMOS管的D 极与所述PMOS管的G级连接,所述NMOS管的B极、S极接地;
所述降压模块降压后输出电压通过所述PMOS管输出到后级电路,所述PMOS管的D极接电源Vcc,B极、S极并联后与所述降压模块输出端连接;
所述上拉电阻设置在所述PMOS管的G级上。
进一步,所述温度传感器芯片内预置有设定温度,当所述温度传感器芯片的感应温度在所述设定温度以下时,所述温度传感器芯片输出高电平,否则输出低电平。
进一步,所述保险丝采用自恢复保险丝。
进一步,所述温度传感器芯片采用制造商为Microchip、型号为 MCP9501PT-085E/OT温度传感器。
一种考虑温度的双重保护电路的电源的保护方法,基于上述考虑温度的双重保护电路的电源实现,所述保护方法包括两重保护:第一重保护通过自恢复保险丝实现,第二重保护通过基于温度传感器芯片构建的温度保护模块实现。
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