[发明专利]一种考虑温度的双重保护电路的电源及保护方法在审

专利信息
申请号: 202210174640.9 申请日: 2022-02-24
公开(公告)号: CN114583662A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 宋积文;陈胜利;张亮;佟萌 申请(专利权)人: 中海油信息科技有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H3/087;H02H5/04;H02H3/06
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 孙楠
地址: 100027 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 考虑 温度 双重 保护 电路 电源 方法
【权利要求书】:

1.一种考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,包括:

降压模块,其输入端与外接电源连接,保险丝串联在所述外接电源与所述降压模块连接通路中;

温度保护模块,包括温度传感器芯片和控制单元;所述降压模块的输出端经控制单元与所述温度传感器芯片连接,所述温度传感器芯片将输出的感应温度信号传输至所述控制单元,所述控制单元控制所述降压模块的输出状态。

2.如权利要求1所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述降压模块与所述控制单元之间连接有整流滤波模块。

3.如权利要求2所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述整流滤波模块包括并联设置的电感、电容和二极管;所述电感的一端与所述降压模块连接,另一端与所述电容和所述二极管并联后作为电压输出端;

所述电容采用极性电容,其负极端接地,正极端与所述电感和所述二极管并联;

所述二极管采用稳压二极管,其正极接地,负极与所述电感和所述电容并联。

4.如权利要求1所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述控制单元包括上拉电阻、NMOS管和PMOS管;

所述温度传感器芯片的输出端与所述NMOS管的G级连接,所述NMOS管的D极与所述PMOS管的G级连接,所述NMOS管的B极、S极接地;

所述降压模块降压后输出电压通过所述PMOS管输出到后级电路,所述PMOS管的D极接电源Vcc,B极、S极并联后与所述降压模块输出端连接;

所述上拉电阻设置在所述PMOS管的G级上。

5.如权利要求1所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述温度传感器芯片内预置有设定温度,当所述温度传感器芯片的感应温度在所述设定温度以下时,所述温度传感器芯片输出高电平,否则输出低电平。

6.如权利要求1所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述保险丝采用自恢复保险丝。

7.如权利要求1所述考虑温度的双重保护电路的电源,其特征在于,所述温度传感器芯片采用制造商为Microchip、型号为MCP9501PT-085E/OT温度传感器。

8.一种考虑温度的双重保护电路的电源的保护方法,其特征在于,基于如权利要求1至8任一项所述考虑温度的双重保护电路的电源实现,所述保护方法包括两重保护:第一重保护通过自恢复保险丝实现,第二重保护通过基于温度传感器芯片构建的温度保护模块实现。

9.如权利要求8所述考虑温度的双重保护电路的电源的保护方法,其特征在于,所述第一重保护为:自恢复保险丝串联在外接电源24V电压输入端与降压模块的连接通路中,当24V后级回路电路中的线路发生短路或过载时,自恢复保险丝动作,对电路进行限制和保护。

10.如权利要求8所述考虑温度的双重保护电路的电源的保护方法,其特征在于,所述第二重保护为:外接电源24V输入电压经过降压模块后,转换成5V,当温度传感器温度在预设温度以下时,温度传感器芯片的输出管脚输出高电平,NMOS管的G级为高电平导通,PMOS管的G级为低电平导通,5V直接通到电源VCC来给后级电路供电;当温度达到预设温度后,温度传感器芯片的输出管脚输出低电平,NMOS管的G级为低电平不导通,PMOS管的G级因为有上拉电阻也不导通,因此5V无法通到电源VCC,从而保护后级电路不受影响;当温度恢复到预设温度以下后,温度传感器芯片自动恢复到正常工作状态。

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