[发明专利]一种具有高电源抑制比的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，包括第一级误差放大器、第二级共源放大器、电流镜、反馈回路和输出负载，其中，所述第二级共源放大器的栅极与所述第一级误差放大器连接，漏极与所述电流镜连接，源极接地；所述反馈回路和所述输出负载并联后与所述电流镜连接，且所述第一级误差放大器中设有补偿电容。

2.根据权利要求1所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一级误差放大器包括提供尾电流源的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极输入第一偏置电压，漏极连接所述第二晶体管的源极，源极接地；所述第二晶体管的栅极输入第二偏置电压。

3.根据权利要求2所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一级误差放大器还包括第一输入管、第二输入管、第三输入管和第四输入管，其中，所述第一输入管的栅极输入参考电压，漏极连接所述第三输入管的源极，源极连接所述第二晶体管的漏极；所述第二输入管的栅极输入反馈电压，漏极连接所述第四输入管的源极，源极连接所述第二晶体管的漏极；所述第三输入管的栅极输入第三偏置电压，源极连接所述第一输入管的漏极；所述第四输入管的栅极输入第三偏置电压，源极连接所述第二输入管的漏极。

4.根据权利要求3所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一级误差放大器还包括第一电流镜负载、第二电流镜负载、第三电流镜负载和第四电流镜负载，所述第一电流镜负载的栅极连接所述第二电流镜负载的栅极，源极连接所述第三电流镜负载的漏极；所述第二电流镜负载的栅极连接所述第一电流镜负载的栅极，源极连接所述第四电流镜负载漏极；所述第三电流镜负载的栅极连接所述第四电流镜负载的栅极，漏极分别连接所述第一电流镜负载的源极和所述第三输入管的漏极，源极连接电源端；所述第四电流镜负载的栅极连接所述第三电流镜负载的栅极，漏极分别连接所述第二电流镜负载的源极和所述第四输入管的漏极，源极连接所述电源端；所述第一电流镜负载的栅极和所述第二电流镜负载的栅极输入第四偏置电压，所述第三电流镜负载的栅极和第四电流镜负载的栅极输入第五偏置电压。

5.根据权利要求4所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述补偿电容的一端连接所述电源端，另一端连接所述第一电流镜负载的漏极。

6.根据权利要求4所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一级误差放大器还包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，所述第一MOS管的栅极分别连接所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的漏极，漏极连接所述第三MOS管的源极，源极接地；所述第二MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极，漏极连接所述第四MOS管的源极，源极接地；所述第三MOS管的栅极连接所述第四MOS管的栅极，漏极分别连接所述第一电流镜负载的漏极和所述第一MOS管的栅极，源极连接所述第一MOS管的漏极；所述第四MOS管的栅极连接所述第三MOS管的栅极，漏极连接所述第二电流镜负载的漏极，源极连接第二MOS管的漏极；所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极输入第六偏置电压。

7.根据权利要求6所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二电流镜负载的漏极和所述第四MOS管的漏极均与所述第一级误差放大器的输出端连接，所述第一级误差放大器的输出端与所述第二级共源放大器的栅极连接。

8.根据权利要求1所述的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述电流镜M1包括第三晶体管和功率管，所述第三晶体管的栅极分别连接所述功率管的栅极和所述第二级共源放大器的漏极，漏极连接所述第二级共源放大器的漏极，源极连接所述第一级误差放大器的电源端；所述功率管的栅极连接所述第三晶体管的栅极，源极连接所述第一级误差放大器的电源端，漏极连接所述反馈回路和所述输出负载。并且，功率管MPFET的漏极连接整个低压差线性稳压器的输出端VOUT。