[发明专利]一种高质量CsPbBr3

权利要求书

1.一种高质量CsPbBr₃钙钛矿薄膜太阳电池，其特征在于，所述电池自下而上依次包括：

透明电极层1、第一传输层2、雾化沉积的CsPbBr₃钙钛矿吸光层3、第二传输层4和金属电极层5。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第一传输层和第二传输层为电子传输层、空穴传输层中的任一种且不相同。

3.根据权利要求2所述的电池，其特征在于，所述电子传输层采用n型半导体材料；

所述空穴传输层采用p型半导体材料。

4.一种高质量CsPbBr₃钙钛矿薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1：通过溶液旋涂法，在透明电极层上沉积第一传输层；

步骤2：通过雾气化学气相沉积法，在第一传输层上生长CsPbBr₃钙钛矿吸光层；

步骤3：通过溶液旋涂法，在CsPbBr₃钙钛矿吸光层上沉积第二传输层；

步骤4：在第二传输层上生长金属电极层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤2-1：分别雾化PbBr₂和CsBr溶液，并将雾化后的溶液进行预混合，以基于混合溶液在第一传输层上生长CsPbBr₃钙钛矿吸光层；或者，

步骤2-2：交替雾化PbBr₂和CsBr溶液，以在第一传输层上生长CsPbBr₃钙钛矿吸光层。