[发明专利]一种具有水汽分离装置的半导体废气处理设备及处理方法有效
申请号: | 202210148791.7 | 申请日: | 2022-02-18 |
公开(公告)号: | CN114345036B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 崔汉博;崔汉宽 | 申请(专利权)人: | 崔汉博 |
主分类号: | B01D46/24 | 分类号: | B01D46/24;B01D53/30;F23G7/06 |
代理公司: | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人: | 陆中丹 |
地址: | 201315 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 水汽 分离 装置 半导体 废气 处理 设备 方法 | ||
本发明提供一种具有水汽分离装置的半导体废气处理设备,包括放置在放置架上的氧化反应罐、废液聚集箱和雾化罐,所述氧化反应罐上设有废气进气口和氧气进气口,所述氧化反应罐与废液聚集箱、废液聚集箱与雾化罐均通过废气出气管连接,且连接处均设有密封圈,避免废气泄露;所述雾化罐上设有出气口,且所述雾化罐通过进水管与水箱连接;所述废液聚集箱设有出水口,所述出水口上安装有手动阀,手动阀正下方置有接水桶。还包括水汽分离装置和液面检测装置,能够分离废气中携带的无法进行氧化反应的废水。
技术领域
本发明属于半导体工艺废气处理技术领域,具体涉及一种具有水汽分离装置的半导体废气处理设备及处理方法。
背景技术
半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分,在工艺过程中,这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs,同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物。
中国专利公开号CN113578009A涉及一种半导体工艺废气处理装置。半导体工艺废气处理装置包括:处理箱体,所述处理箱体包括依次连通的氧化反应腔、废液聚集腔和雾化水洗腔;所述氧化反应腔和所述雾化水洗腔位于所述废液聚集腔上方;所述氧化反应腔连通进气通道,所述进气通道用于将工艺废气输入所述氧化反应腔中,所述氧化反应腔对输入该氧化反应腔中的工艺废气进行氧化反应;所述雾化水洗腔连通排气通道,所述雾化水洗腔中设有喷淋装置,所述喷淋装置上安装有雾化片,所述雾化片能够以第一振荡频率振动使得所述喷淋装置喷淋雾化水珠;所述废液聚集腔中设有振动片,所述振动片能够以第二振荡频率振动。该半导体工艺废气处理装置,可以解决相关技术中废气排放口的问题。
中国专利公开号CN1923342B公开一种用于对半导体制造工艺中产生的半导体废气进行处理的净气器,该净气器以高温火焰燃烧废气、过滤及收集废气燃烧后所产生的微粒、将滤掉了微粒的废气排出到大气中。该半导体废气处理净气器包括:供应部分,用于供应半导体废气、燃料和氧气;燃烧器,连接于供应部分而通过火焰来燃烧半导体废气;燃烧室,结合于燃烧器而使半导体废气燃烧时所产生的微粒掉落;湿塔,安装在燃烧室的侧部而使从燃烧室传送的微粒在用水吸附后掉落;以及储水罐,连接于燃烧室和湿塔,从而收集从燃烧室和湿塔掉落的微粒。发明增加了废气燃烧效率、使得微粒不会沉积在燃烧室的内壁上且使得易于对燃烧室进行维护和修复。
现有技术中当废气通过高温氧化反应后废气氧化成氧化物和水,但是净化后的气体从氧化反应装置离开时依然会携带无法氧化反应的废水,废水会随着净化后的气体离开污染环境。
发明内容
鉴于现有技术中存在上述问题,本发明的目的是提供一种具有水汽分离装置的半导体废气处理设备及处理方法。
本发明提供了如下的技术方案:
一种具有水汽分离装置的半导体废气处理设备,包括放置在放置架上的氧化反应罐、废液聚集箱和雾化罐,所述氧化反应罐上设有废气进气口和氧气进气口,所述氧化反应罐与废液聚集箱、废液聚集箱与雾化罐均通过废气出气管连接,且连接处均设有密封圈;所述雾化罐上设有出气口,且所述雾化罐通过进水管与水箱连接;所述废液聚集箱设有出水口,所述出水口上安装有手动阀,手动阀正下方置有接水桶,还包括水汽分离装置置于所述废液聚集箱内,且水汽分离装置与废液聚集箱上的废气出气管连接;所述废液聚集箱上安装有液面检测装置。
具体的,所述水汽分离装置包括与废液聚集箱上的废气出气管连接的进气管;所述进气管通过闭合装置一与过渡管连接;所述过渡管一端通过密封板安装在水汽分离壳体上,所述水汽分离壳体为倒置的三角形状,所述过渡管位于三角状侧面的中间位置处;所述水汽分离壳体顶面设有出气管;所述水汽分离壳体底面设有出水口二;所述过渡管另一端置有水汽分离管,所述水汽分离管安装在水汽分离壳体内。
具体的,所述水汽分离装置还包括安装在废液聚集箱上的废气出气管内的闭合装置二。
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