[发明专利]一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器

权利要求书

1.一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，设置于第一端口和第二端口之间，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接所述第一端口；第二晶体管，所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接，且所述第二晶体管的源极连接所述第二端口；第一电阻，所述第一电阻连接于所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极之间；加速关断模块，所述加速关断模块连接于所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极之间；所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电，使所述第二晶体管的栅极电压快速上升，提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。

2.如权利要求1所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，所述加速关断模块包括：电容，所述电容连接于所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极之间；所述阻断型浪涌保护器的电流从所述第一端口流向所述第二端口。

3.如权利要求1所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，所述加速关断模块包括：第一二极管，所述第一二极管的正极与所述第二晶体管的栅极连接，所述第一二极管的负极与所述第一晶体管的漏极连接；所述阻断型浪涌保护器的电流从所述第一端口流向所述第二端口。

4.如权利要求1所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，还包括：第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的源极连接，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第二端口连接；第二电阻，连接于所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的漏极之间；所述加速关断模块包括第一加速关断单元和第二加速关断单元；所述第一加速关断单元包括：第一二极管，所述第一二极管的负极连接所述第一晶体管的漏极；第二二极管，所述第二二极管的正极连接所述第一二极管的正极，所述第二二极管的负极连接所述第二晶体管的栅极；所述第二加速关断单元包括：第三二极管，所述第三二极管的负极连接所述第二晶体管的栅极连接；第四二极管，所述第四二极管的正极连接所述第三二极管的正极，所述第四二极管的负极连接所述第三晶体管的漏极；所述阻断型浪涌保护器的电流从所述第一端口流向所述第二端口，或者从所述第二端口流向所述第一端口。

5.如权利要求1或3所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，还包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的源极连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接；第三电阻，连接于所述第四晶体管的栅极和所述第四晶体管的漏极之间；所述阻断型浪涌保护器的电流从所述第一端口流向所述第二端口。

6.如权利要求4所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，还包括：第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的源极连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接；第三电阻，连接于所述第四晶体管的栅极和所述第四晶体管的漏极之间；第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接，所述第五晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的漏极与所述第三晶体管的栅极连接；第四电阻，所述第四电阻连接于所述第五晶体管的漏极和所述第五晶体管的栅极之间。

7.如权利要求1所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，所述加速关断模块包括：第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述第六晶体管的源极连接，所述第六晶体管的源极与所述第二晶体管的栅极连接，所述第六晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极连接；所述阻断型浪涌保护器的电流从所述第一端口流向所述第二端口。

8.如权利要求1所述的一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，其特征在于，所述第一晶体管为耗尽型NMOS管；所述第二晶体管为P型结型场效应晶体管；所述第一电阻常为多晶硅电阻。