[发明专利]一种电子选择性钝化接触结构、太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于：包括：

晶硅衬底；

遂穿钝化层，沉积在所述晶硅衬底上，所述遂穿钝化层的材料为氢化非晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铌中的一种或几种，所述遂穿钝化层的厚度为1～10nm；

电子传输层，沉积在所述遂穿钝化层上，所述电子传输层为氧化镁薄膜，所述氧化镁薄膜为本征或掺杂氧化镁薄膜，其厚度为1～20nm，电子浓度大于等于10¹⁷cm^-3；

透明电极，沉积在所述电子传输层上，所述透明电极为氧化锌透明电极，所述氧化锌透明电极为本征或掺杂氧化锌透明电极，其厚度为10～200nm，电子浓度大于等于5×10¹⁹cm^-3，迁移率大于等于10cm²/V.s，可见光波段透明率大于等于85％，功函数小于等于4.5eV；

金属电极，沉积在所述氧化锌透明电极上。

2.如权利要求1所述的一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于：所述氧化镁薄膜为掺杂氧化镁薄膜时，掺杂元素为硼、铝、钴、铒、钛中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于：所述氧化锌透明电极是掺杂氧化锌透明电极，掺杂元素包括但不限于氢、硼、铝、镓、铟中的一种或几种。

4.如权利要求1-3中任一项所述的一种电子选择性钝化接触结构，其特征在于：所述透明电极上设置有减反射膜，所述金属电极穿过所述减反射膜与氧化锌电极接触，所述减反射膜的材料为氮化硅、氧化硅、氧化钛、氟化镁、氟化锂中的一种或者几种，其厚度为3～200nm。

5.一种电子选择性钝化接触结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

提供晶硅衬底；

在所述晶硅衬底表面沉积遂穿钝化层，所述遂穿钝化层的材料为氢化非晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铌中的一种或几种，所述遂穿钝化层的厚度为1～10nm；

在所述遂穿钝化层表面沉积氧化镁薄膜，所述氧化镁薄膜为本征或掺杂氧化镁薄膜，其厚度为1～20nm，电子浓度大于等于10¹⁷cm^-3；

在所述氧化镁薄膜表面沉积氧化锌透明电极，所述氧化锌透明电极为本征或掺杂氧化锌透明电极，其厚度为10～200nm，电子浓度大于等于5×10¹⁹cm^-3，迁移率大于等于10cm²/V.s，可见光波段透明率大于等于85％，功函数小于等于4.5eV，所述氧化镁薄膜的沉积方法采用原子层沉积、高温热蒸发或磁控溅射；

在所述氧化锌透明电极上制备金属电极，形成电子选择性钝化接触结构。

6.一种太阳能电池，其特征在于：包括如权利要求1-4中任一项所述的一种电子选择性钝化接触结构。

7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括步骤：形成如权利要求1-4中任一项所述的一种电子选择性钝化接触结构，采用所述电子选择性钝化接触结构制备太阳能电池。