[发明专利]IGBT退饱和检测电路

说明书

本发明提供了一种IGBT退饱和检测电路。包括三相驱动电路：用于将三相驱动电路与下桥IGBT的集电极连接，驱动IGBT开通；消隐电容充电电路：用于接收IGBT集电极与发射极间的驱动电压，控制所述消隐电容充电电路进行充放电；三相合成比较电路：用于与所述消隐电容充电电路的输出端电连接，并进行电压比较，输出导通/关断信号；故障信号隔离输出电路：用于与所述三相合成比较电路的输出端电连接，接收导通/关断信号，并进行信号耦合，输出电平信号；其中，当所述电平信号为低电平时，IGBT退保和；当所述电平信号为高电平时，IGBT饱和导通。

技术领域

本发明涉及IGBT电路技术领域，特别涉及一种IGBT退饱和检测电路。

背景技术

目前，现有的IGBT保和压降检测方案大部分采用驱动光耦，例如ACPL-330J，ACPL-332J。这种驱动光耦内部集成了IGBT退保和检测功能，驱动光耦有驱动信号时，外部4.7K电阻给1nF电容进行充电，如果IGBT电流过大，电容上的电压会升高，达到内部6.5V检测阈值触发保护。上述现有技术光耦体积过大、成本高，很难在小功率电机驱动器上应用，其次，其虽然应用比较广泛，但是在三项电路中的运用，其多用于进行总电路退保和检测，无法进行单一一项电路的检测。

发明内容

本发明提供一种IGBT退饱和检测电路，用以解决现有技术中，IGBT退饱和电路存在，无法应用于小功率的电机驱动器上，其次，其虽然应用比较广泛，但是在三项电路中的运用，其多用于进行总电路退保和检测，无法进行单一一项电路的检测的情况。

一种IGBT退饱和检测电路，包括：

三相驱动电路：用于将三相驱动电路与下桥IGBT的集电极连接，驱动IGBT开通；

消隐电容充电电路：用于接收IGBT集电极与发射极间的驱动电压，控制所述消隐电容充电电路进行充放电；

三相合成比较电路：用于与所述消隐电容充电电路的输出端电连接，并进行电压比较，输出导通/关断信号；

故障信号隔离输出电路：用于与所述三相合成比较电路的输出端电连接，接收导通/关断信号，并进行信号耦合，输出电平信号；其中，

当所述电平信号为低电平时，IGBT退保和；

当所述电平信号为高电平时，IGBT饱和导通。

作为本发明的一种实施例：所述三相驱动电路包括：U相驱动电路、V相驱动电路和W相驱动电路；

U相驱动电路的桥臂由第一IGBT和第二IGBT构成，第一IGBT的发射极与第二IGBT的集电极电连接；

所述第一IGBT和第二IGBT之间设置有U相检测端口；

V相驱动电路的桥臂由第二IGBT由第三IGBT和第四IGBT构成，第三IGBT的发射极与第四IGBT的集电极电连接；

所述第三IGBT和第四IGBT之间设置有V相检测端口；

W相驱动电路的桥臂由第五IGBT和第六IGBT构成，第五IGBT的发射极与第六IGBT的集电极电连接；

所述第五IGBT和第六IGBT之间设置有W相检测端口；

所述第一IGBT、第三IGBT和第五IGBT的集电极均与主电路的正极电连接；

所述第二IGBT、第四IGBT和第六IGBT的集电极均与主电路的负极电连接。

作为本发明的一种实施例：所述U相驱动电路由第一驱动芯片和第一电阻组成；

所述第一驱动芯片的输入端与U相电源电连接；