[发明专利]IGBT退饱和检测电路

权利要求书

1.一种IGBT退饱和检测电路，所述IGBT包括上桥IGBT和下桥IGBT，所述上桥IGBT包括第一上桥IGBT、第三上桥IGBT和第五上桥IGBT，所述下桥IGBT包括第二下桥IGBT、第四下桥IGBT和第六下桥IGBT，其特征在于，包括：

三相驱动电路，所述三相驱动电路，包括：U相驱动电路、V相驱动电路和W相驱动电路；

U相驱动电路的桥臂由第一上桥IGBT和第二下桥IGBT构成，第一上桥IGBT的发射极与第二下桥IGBT的集电极电连接；

所述第一上桥IGBT和第二下桥IGBT之间设置有U相检测端口；

U相驱动电路与第二下桥IGBT的基极连接，驱动第一上桥IGBT和第二下桥IGBT开通；

V相驱动电路的桥臂由第三上桥IGBT和第四下桥IGBT构成，第三上桥IGBT的发射极与第四下桥IGBT的集电极电连接；

所述第三上桥IGBT和第四下桥IGBT之间设置有V相检测端口；

V相驱动电路与第四下桥IGBT的基极连接，驱动第三上桥IGBT和第四下桥IGBT开通；

W相驱动电路的桥臂由第五上桥IGBT和第六下桥IGBT构成，第五上桥IGBT的发射极与第六下桥IGBT的集电极电连接；

所述第五上桥IGBT和第六下桥IGBT之间设置有W相检测端口；

W相驱动电路与第六下桥IGBT的基极连接，驱动第五上桥IGBT和第六下桥IGBT开通；

所述第一上桥IGBT、第三上桥IGBT和第五上桥IGBT的集电极均与主电路的正极电连接；

所述第二下桥IGBT、第四下桥IGBT和第六下桥IGBT的集电极均与主电路的负极电连接；

消隐电容充电电路：用于接收上桥IGBT的发射极和下桥IGBT的集电极间的驱动电压，控制所述消隐电容充电电路进行充放电；

三相合成比较电路：用于与所述消隐电容充电电路的输出端电连接，并进行电压比较，输出导通/关断信号；

故障信号隔离输出电路：用于与所述三相合成比较电路的输出端电连接，接收导通/关断信号，并进行信号耦合，输出电平信号；其中，

当所述电平信号为低电平时，IGBT退饱和；

当所述电平信号为高电平时，IGBT饱和导通；

所述消隐电容充电电路由U相消隐电路、V相消隐电路和W相消隐电路构成；

所述U相消隐电路由第二二极管、第四电阻、第三二极管、第六电阻和第八电阻组成；其中，

所述第二二极管的负极与U相检测端口电连接，所述第二二极管的正极与第四电阻的一端电连接；所述第四电阻的另一端分别与第六电阻和第八电阻的一端连接，连接点作为U相消隐电路的输出端，第六电阻的另一端与第三二极管的正极电连接；所述第三二极管的负极和第八电阻的另一端与光耦输出端口U-DRV电连接；

所述V相消隐电路由第五二极管、第十二电阻、第六二极管、第九电阻和第十电阻组成；其中，

所述第五二极管的负极与V相检测端口电连接，所述第五二极管的正极与第九电阻的一端电连接；所述第九电阻的另一端分别与第十电阻和第十二电阻的一端连接，连接点作为V相消隐电路的输出端，第十电阻的另一端与第六二极管的正极电连接；所述第六二极管的负极和第十二电阻的另一端与光耦输出端口V-DRV电连接；

所述W相消隐电路由第八二极管、第十三电阻、第九二极管、第十四电阻和第十五电阻组成；其中，

所述第八二极管的负极与W相检测端口电连接，所述第八二极管的正极与第十三电阻的一端电连接；所述第十三电阻的另一端分别与第十四电阻和第十五电阻的一端连接，连接点作为W相消隐电路的输出端，第十四电阻的另一端与第九二极管的正极电连接；所述第九二极管的负极和十五电阻的另一端与光耦输出端口W-DRV电连接。

2.如权利要求1所述的一种IGBT退饱和检测电路，其特征在于，所述U相驱动电路由第一驱动芯片和第一电阻组成；

所述第一驱动芯片的输入端与U相电源电连接；

所述第一驱动芯片的输出端与所述第一电阻一端电连接，所述第一电阻的另一端与第二IGBT的基极电连接；

所述第一驱动芯片的输出端设置所述光耦输出端口U-DRV。