[发明专利]一种大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法及X射线探测器

权利要求书

1.一种大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法为：

1)首先采用刮涂法将多晶钙钛矿前驱体溶液涂覆在空穴传输材料修饰的导电基底上，退火处理得到纳米厚度的大面积钙钛矿多晶薄膜；

2)结合反温度结晶法，将步骤1)得到的钙钛矿多晶薄膜作为生长模板引入到钙钛矿饱和生长溶液中诱导大面积微晶薄膜的生长，多晶薄膜的尺寸决定了微晶薄膜的尺寸；

3)采用等静压热压工艺对微晶薄膜表面进行平整化处理。

2.如权利要求1所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：多晶钙钛矿前驱体组分为MAPbI₃、FA_xMA_1-x、MAPbBr₃或FAPbBr₃中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：多晶薄膜为刮涂或旋涂制备；

进一步，刮涂的过程中，刮刀与基片的间距在20-80μm；

进一步，旋涂速度2000-4000rpm。

4.如权利要求1所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)中退火处理的温度为80-120℃，退火处理的时间为10-20min。

5.如权利要求1所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)中钙钛矿微晶薄膜在饱和溶液中的生长温度为60-100℃。

6.如权利要求1所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法，其特征在于：逆温结晶法生长的时间为30-120min。

7.权利要求1-6任一所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法在制作X射线探测器领域中的应用。

8.一种X射线探测器，其特征在于：所述X射线探测器的吸收层材料为权利要求1-6任一所述的大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法得到的大面积钙钛矿微晶薄膜。

9.如权利要求8所述的X射线探测器，其特征在于：X射线探测器的结构为依次层叠设置的阴极、电子传输层、空穴阻挡层、X射线吸收层、空穴传输层和阳极。

10.权利要求8或9所述的X射线探测器的制备方法，其特征在于：所述方法为：

1)在导电玻璃上旋涂PEDOT:PSS溶液，然后退火处理，得到空穴传输层；

2)以步骤1)得到的导电玻璃为基底，在基底上按照权利要求1-6任一所述的制备方法生长大面积钙钛矿微晶薄膜；

3)在步骤2)得到的大面积钙钛矿微晶薄膜表面蒸镀电子传输层C₆₀/BCP；

4)在步骤3)得到的电子传输层上蒸镀铜电极，得到X射线探测器。