[发明专利]电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路

说明书

本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。制备方法包括：获取用于制备电感元件的化合物，化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件；对化合物进行退火操作，以使化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成电感元件，其中，电感元件的动态电感大于几何电感。本实施例提供的技术方案，通过获取用于制备电感元件的化合物，对化合物进行退火操作，使得化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，从而可以生成动态电感大于几何电感的电感元件，并且有效地降低了对电感元件的制备难度和制备流程。

本发明专利申请是分案申请，原案的申请号是202010431535.X，申请日是2020年5月20日，发明名称是：电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。

技术领域

本发明涉及超导材料技术领域，尤其涉及一种电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路。

背景技术

具有高动态电感且无损耗的电感元件是制备超导磁通量子比特的必要组件。现有技术中，制备具有高动态电感的电感元件的方法可以包括：利用第一类超导体制备多个(大约100个)串联的约瑟夫森结，其中，第一类超导体是指超导相干长度大于磁场穿透深度的超导体；在生成多个串联的约瑟夫森结之后，由于约瑟夫森结的结构特性可以使得载流子密度产生长程波动，打破超导体长程有序性，从而增强了超导体的动态电感。

然而，上述的制备方式具有以下缺陷：制备工艺较为繁琐，同时，在将约瑟夫森结进行串联形成阵列时，容易引入寄生共振模量，从而会降低对超导量子比特进行测量的准确性和可靠性。

发明内容

本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法、参数配置方法、设备、电感元件及超导电路，通过对超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件的化合物进行退火操作,使得化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离的情况,从而生成了动态电感大于几何电感的电感元件，并且有效地降低了对电感元件的制备难度和制备流程，提高了对超导量子比特进行测量的准确性和可靠性。

第一方面，本发明实施例提供了一种电感元件的制备方法，包括：

获取用于制备电感元件的化合物，所述化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件；

对所述化合物进行退火操作，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，其中，所述电感元件的动态电感大于几何电感。

第二方面，本发明实施例提供了一种电感元件，利用上述第一方面所述的电感元件的制备方法制备获取。

第三方面，本发明实施例提供了一种超导电路，包括上述第二方面所述的电感元件。

第四方面，本发明实施例提供了一种量子芯片，包括上述第二方面所述的电感元件。

第五方面，本发明实施例提供了一种电感元件的制备设备，包括：存储器、处理器；其中，所述存储器用于存储一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的电感元件的制备方法。

第六方面，本发明实施例提供了一种计算机存储介质，用于储存计算机程序，所述计算机程序使计算机执行时实现上述第一方面所述的电感元件的制备方法。

第七方面，本发明实施例提供了一种参数配置方法，包括

获取用户针对退火控制参数输入的执行操作，所述退火控制参数用于对用于制备电感元件的化合物进行退火操作；

基于所述执行操作对所述退火控制参数进行调整，获得目标退火控制参数，以使得在利用目标退火控制参数对所述化合物进行退火操作时，所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，并且，所述电感元件的动态电感大于几何电感。

第八方面，本发明实施例提供了一种参数配置装置，包括：