[发明专利]电感元件的制备方法、设备、电感元件及超导电路

权利要求书

1.一种电感元件的制备方法，其特征在于，包括：

获取用于制备电感元件的化合物，所述化合物的超导相干长度与磁场穿透深度满足预设条件，所述预设条件包括：超导相干长度小于磁场穿透深度；

对所述化合物进行退火操作，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，其中，所述电感元件的动态电感大于几何电感。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述化合物进行退火操作，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，包括：

获取退火控制参数；

基于所述退火控制参数控制所述化合物进行退火操作，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述退火控制参数包括以下至少之一：退火温度、退火时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述退火温度小于所述化合物的熔点温度、且所述退火温度大于与所述化合物相对应的预设温度阈值，其中，所述预设温度阈值为所述化合物中的非所述超导体相与所述超导体相出现相分离的最小温度。

5.根据权利要求3-4中任意一项所述的方法，其特征在于，获取退火控制参数，包括：

获取用于控制退火操作的多个备选控制参数，在所述多个备选控制参数的控制下，所述电感元件对应有多个不同的动态电感；

在所述多个备选控制参数中，确定所述退火控制参数，以最大化所述电感元件的动态电感。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，获取用于控制退火操作的多个备选控制参数，包括：

确定所述化合物中包括的非超导体相和超导体相；

获取与所述非超导体相和所述超导体相相对应的退火参数范围，所述退火参数范围为所述非超导体相和所述超导体相进行自发相分离所对应的参数范围；

在所述退火参数范围内，获取用于控制退火操作的多个备选控制参数。

7.根据权利要求2-4中任意一项所述的方法，其特征在于，基于所述退火控制参数控制所述化合物进行退火操作，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，包括：

基于所述退火控制参数控制所述化合物的特征信息，以使所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述化合物包括氮化铝钛；

所述非超导体相包括氮化铝，所述超导体相包括氮化钛。

9.一种电感元件，其特征在于，利用权利要求1-8中任意一项所述的电感元件的制备方法制备获取。

10.一种参数配置方法，其特征在于，包括

获取用户针对退火控制参数输入的执行操作，所述退火控制参数用于对用于制备电感元件的化合物进行退火操作；

基于所述执行操作对所述退火控制参数进行调整，获得目标退火控制参数，以使得在利用目标退火控制参数对所述化合物进行退火操作时，所述化合物中包括的非超导体相与超导体相出现相分离，生成所述电感元件，并且，所述电感元件的动态电感大于几何电感。