[发明专利]一种基于IPD技术的超宽带带通滤波器

权利要求书

1.一种基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：包括接地金属层、衬底、器件层、七个集总电感、七个集总电容和两个馈电端口；所述衬底的底部与所述接地金属层连接，所述器件层设置在所述衬底顶部，七个集总电感和七个集总电容均位于所述器件层，两馈电端口分别位于所述衬底的两侧与所述衬底两侧并与所述衬底连接，所述器件层上设有六个贯通所述衬底的接地孔，其中，第一馈电端口通过第一接地孔和第二接地孔与所述接地金属层互连，第二馈电端口通过第三接地孔和第四接地孔与所述接地金属层互连；

第一集总电容的第一端与所述第一馈电端口连接，第二端与第一集总电感的第一端连接；所述第一集总电感的第二端与第二集总电感的第一端连接，所述第二集总电感的第二端与第二集总电容的第一端连接；所述第二集总电容的第二端与第四集总电容的第一端分别通过所述第五接地孔与所述接地金属层互连，所述第四集总电容的第二端与第四集总电感的第一端连接，所述第四集总电感的第二端与第七集总电感的第一端连接，所述第七集总电感的第二端与第七集总电容的第一端连接，所述第七集总电容的第二端与第二馈电端口连接；

所述第一集总电感的第二端还与第五集总电容的第一端连接，所述第五集总电容的第二端与第五集总电感的第一端连接，所述第五集总电感的第二端与第四集总电感的第二端连接；

所述第一集总电感的第二端还与第三集总电感的第一端连接，所述第三集总电感的第二端与第三集总电容的第一端连接，所述第三集总电容的第二端与第六集总电容的第一端分别通过第五接地孔与所述接地金属层互连，所述第六集总电容的第二端与第六集总电感的第一端连接，所述第六集总电感的第二端与所述第四集总电感的第二端连接。

2.根据权利要求1所述的基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：

所述第一集总电容、所述第二集总电容、所述第三集总电容、所述第四集总电容、所述第五集总电容、所述第六集总电容和所述第七集总电容均为MIM电容结构，所述MIM电容结构包括相较于所述衬底由下至上依次层叠的上电极、介电材料和下电极。

3.根据权利要求2所述的基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：

所述器件层包括相对于所述衬底由下至上依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层；各集总电容的下电极均位于所述第一金属层，各集总电容的介电材料均位于所述介质层，各集总电容的上电极均位于所述第二金属层。

4.根据权利要求3所述的基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：

所述第一集总电感、所述第二集总电感、所述第三集总电感、所述第四集总电感、所述第六集总电感和所述第七集总电感位于所述第一金属层，所述第五集总电感位于所述第二金属层；所述器件层上设有一互连孔，所述第五集总电感的第二端通过所述互连孔与所述第四集总电感的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：

所述第一集总电容的上电极与所述第一馈电端口连接，其下电极与所述第一集总电感的第一端连接；

所述第二集总电容的下电极与所述第二集总电感的第二端连接，其上电极通过所述第一接地孔与所述接地金属层连接；

所述第三集总电容的下电极与所述第三集总电感的第二端连接，其上电极通过所述第二接地孔与所述接地金属层连接；

所述第四集总电容的上电极通过所述第二接地孔与所述接地金属层连接，其下电极与所述第四集总电感的第一端连接；

所述第五集总电容的下电极与所述第一集总电感的第二端连接，其上电极与所述第五集总电感的第一端连接；

所述第六集总电容的下电极与所述第六集总电感的第二端连接，其上电极通过所述第二接地孔与所述接地金属层连接；

所述第七集总电容的下电极与所述第七集总电感的第二端连接，其上电极与所述第二馈电端口连接。

6.根据权利要求1～5任一所述的基于IPD技术的超宽带带通滤波器，其特征在于：

所述接地金属层的接地金属与所述第一馈电端口和所述第二馈电端口之间分别设有一隔离区，所述第一馈电端口和所述第二馈电端口均不与所述接地金属连接。