[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和移动体在审
| 申请号: | 202210113177.7 | 申请日: | 2022-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN114864612A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 大贯裕介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张小稳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 系统 移动 | ||
本公开涉及光电转换装置、光电转换系统和移动体。光电转换装置包括:光电转换器;第一节点,被配置为被供应来自光电转换器的电荷;放大晶体管,被配置为输出与第一节点的电压相对应的信号;第一晶体管,被配置为打开/关闭第一节点与第二节点之间的路径,所述第二节点不包括在从电转换器到第一节点的路径中;和第二晶体管,被配置为打开/关闭第二节点与第三节点之间的路径。当第二晶体管设置为导通状态时被添加到第二节点的第二电容大于当第一晶体管设置为导通状态时被添加到第一节点的第一电容。
技术领域
本发明涉及光电转换装置、光电转换系统和移动体。
背景技术
日本专利公开No.2020-039114公开了以下布置,该布置包括为了扩展图像捕获装置的动态范围的第一电容添加晶体管,该第一电容添加晶体管具有连接到浮动扩散单元(下文中称为FD单元)的一端和连接到复位晶体管的另一端。日本专利公开No.2020-039114还公开了以下布置,该布置包括在复位晶体管与第一电容添加晶体管之间的第二电容添加晶体管。此外,日本专利公开No.2020-039114公开了以下布置,该布置向复位晶体管、第一电容添加晶体管或第二电容添加晶体管施加处于高电平与低电平之间的中间电压,以抑制FD单元的与高亮度信号相对应的电压幅度。
发明内容
本发明的第一方面提供了一种光电转换装置,该光电转换装置包括:光电转换器;第一节点,被配置为被供应来自光电转换器的电荷;放大晶体管,被配置为输出与第一节点的电压相对应的信号;第一晶体管,被配置为打开/关闭第一节点与第二节点之间的路径,该第二节点不包括在从电转换器到第一节点的路径中;以及第二晶体管,被配置为打开/关闭第二节点与第三节点之间的路径,其中当第二晶体管设置为导通状态时被添加到第二节点的第二电容大于当第一晶体管设置为导通状态时被添加到第一节点的第一电容。
本发明的第二方面提供了一种光电转换装置,该光电转换装置包括:光电转换器;第一节点,被配置为被供应来自光电转换器的电荷;放大晶体管,被配置为输出与第一节点的电压相对应的信号;第一晶体管,被配置为打开/关闭第一节点与第二节点之间的路径,该第二节点不包括在从电转换器到第一节点的路径中;第二晶体管,被配置为打开/关闭第二节点与第三节点之间的路径;以及第三晶体管,被布置在第三节点与第四节点之间的路径中,其中将第三晶体管设置为导通状态的固定电位被施加到第三晶体管的栅极。
本发明的第三方面提供了一种光电转换装置,该光电转换装置包括:光电转换器;第一节点,被配置为被供应来自光电转换器的电荷;放大晶体管,被配置为输出与第一节点的电压相对应的信号;第一晶体管,被配置为打开/关闭第一节点与第二节点之间的路径,该第二节点不包括在从电转换器到第一节点的路径中;第二晶体管,被配置为打开/关闭第二节点与第三节点之间的路径;以及第三晶体管,被布置在第三节点与第四节点之间的路径中,其中当第三晶体管设置为导通状态时被添加到第三节点的第三电容大于当第二晶体管设置为导通状态时被添加到第二节点的第二电容。
本发明的第四方面提供了一种光电转换系统,该光电转换系统包括:如本发明的第一至第三方面之一限定的光电转换装置;和信号处理器,该信号处理器被配置为处理从光电转换装置输出的信号。
本发明的第五方面提供了一种移动体,该移动体包括如本发明的第一至第三方面之一限定的光电转换装置;以及距离信息获取单元,该距离信息获取单元被配置为根据基于来自光电转换装置的信号的距离测量信息获取到目标物体的距离信息,所述移动体进一步包括:控制单元,该控制单元被配置为基于距离信息控制移动体。
本发明的进一步特征将通过以下参考附图对示例性实施例的描述而变得清楚。
附图说明
图1是示出根据第一至第三实施例的图像捕获装置的布置的框图;
图2是示出根据比较示例的像素的布置的等效电路图;
图3是示出根据另一比较示例和第一实施例的像素的布置的等效电路图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





