[发明专利]包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件

说明书

本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。

技术领域

本发明涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。

背景技术

宽带隙半导体器件基于具有至少2 eV或至少3 eV的带隙的半导体材料，并且允许与常规的基于硅的半导体器件相比更低的导通状态电阻和更高的电流密度。当在宽带隙半导体器件（诸如例如场效应晶体管（FET）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT））中以高频率切换高电流密度时，期望跨越晶体管单元阵列的有源区域的均匀电流分布以用于避免过大的应力，所述过大的应力可能由不均匀的电流分布导致并且所述过大的应力可能使半导体器件的可靠性下降。

期望提高跨越宽带隙半导体器件的有源区域的负载电流分布的均匀性。

发明内容

本公开内容涉及一种包括由宽带隙半导体材料制成的半导体本体的半导体器件。多个第一接合区域电连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。

本领域技术人员在阅读下面的详细描述时和在查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包含以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示实施例并且与本描述一起用于解释本发明的原理。本发明的其他实施例和意图的优点将容易被领会到，因为它们通过参考下面的详细描述而变得更好理解。

图1A、1B和2是用于图示包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件的示意性平面视图。

图3是图示条带形沟槽栅极结构的沿着图2的线A-A的示意性横截面视图的一个示例。

图4是图示栅极线与栅极接合区域之间的电连接的沿着图2的线B-B的示意性横截面视图的一个示例。

图5是图示电连接到源极线的边缘终止结构的沿着图2的线C-C的示意性横截面视图的一个示例。

图6是用于图示接合布线图案的示意性平面视图的一个示例。

图7是用于图示包括宽带隙半导体器件的半导体模块的示意性平面视图的一个示例。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考了附图，所述附图形成本文的一部分并且在所述附图中通过图示示出了特定实施例，在所述特定实施例中可以实践本公开内容。应理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑的改变。例如，针对一个实施例图示或描述的特征可以被用在其他实施例上或者结合其他实施例使用以又产生另一实施例。旨在本公开内容包括这样的修改和变化。使用特定的语言描述了示例，所述特定的语言不应该被解释为限制所附权利要求的范围。附图不是按比例的并且仅用于说明性的目的。为了清楚起见，如果没有另外说明，则在不同的附图中已通过相应的参考标记来指定相同的元件。