[发明专利]一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构在审

专利信息
申请号: 202210109340.2 申请日: 2022-01-28
公开(公告)号: CN114598318A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 刘红侠;向琦 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03L7/085 分类号: H03L7/085;H03L7/089;H03L7/093;H03L7/18;H03K19/003
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王萌
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 粒子 辐射 电荷 泵锁相环 加固 结构
【说明书】:

发明公开了一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构,其特征在于,所述电荷泵锁相环加固结构包括:鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器;在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路;所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路。本发明能够减小甚至抑制单粒子轰击对滤波器输出电压的影响。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构。

背景技术

辐射会影响航天设备的工作状态,甚至导致航天设备失效。如在恶劣的空间辐射环境中运行的航天器,根据可调查的航天故障次数统计显示,辐射是造成的航天器失效的最主要原因,空间辐射环境中的辐射粒子会对航天器中的集成电路甚至航天电子设备产生严重影响。

锁相环(Phase Locked Loop,PLL)电路作为航天电子系统的重要组成部分,可以产生低抖动时钟,含PLL的集成电路芯片被广泛应用到卫星探测、雷达、导航、航空航天等具有辐射条件的环境中。然而,辐射会使PLL产生单粒子效应(Single-Event Effect,SEE)和总电离剂量效应(Total Ionization Dose,TID),从而导致PLL瞬时或永久性损坏,进一步导致电子设备的性能下降甚至功能故障。随着工艺的不断缩小,总剂量效应的影响逐渐减小,单粒子效应对航天设备中电子器件的影响却日益加剧,尤其是SEE中的单粒子瞬变(Single-Event Transient,SET)效应已经成为影响锁相环中最重要的辐射效应。

进一步地,电荷泵(Charge Pump,CP)是锁相环中的核心电路模块,是最容易受到SET效应影响的子模块。在SET效应影响下,电荷泵会产生大量电荷对电容进行充放电,导致压控振荡器的控制电压严重偏离锁定值,超出最大或最小控制电压,从而导致锁相环的输出时钟长时间处于混乱状态,严重影响电子系统的正常工作。现有技术中还未涉及对电荷泵进行有效的抗辐照加固,以克服辐射影响的技术方案。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构,所述电荷泵锁相环加固结构包括:鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器;在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路;所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路;其中,鉴频鉴相器包括参考信号频率接收端、输出信号频率接收端,充电信号输出端和放电信号输出端;电荷泵的第一输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端,第二输入端连接鉴频鉴相器的放电信号输出端;衰减电路的输入端连接电荷泵的输出端,输出端连接补偿电路的输入端,所述衰减电路用于对单粒子轰击后产生的充电电流和放电电流进行衰减,以使滤波器的输出电压保持恒定;所述补偿电路用于对单粒子轰击后产生的电流进行补偿,以使滤波器的输出电压保持恒定;选择电路的第一输入端连接补偿电路的输出端,第二输入端连接控制电路的输出端,输出端连接滤波器的输入端,所述选择电路用于对电荷泵输出的充电电流和放电电流进行控制;控制电路的输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端和放电信号输出端,所述控制电路用于判断锁相环的工作状态;所述工作状态包括锁定状态和非锁定状态;滤波器的输出端连接压控振荡器的输入端;压控振荡器的输出端连接分频器的输入端;分频器的输出端连接鉴频鉴相器的输出信号频率接收端。

在本发明的一个实施例中,所述电荷泵包括:PMOS管M1、电流源I1、NMOS管M2和电流源I2;其中,PMOS管M1的源极连接电流源I1,栅极连接鉴频鉴相器的充电信号输出端,漏极连接衰减电路,NMOS管M2的源极连接电流源I2,栅极连接鉴频鉴相器的放电信号输出端,漏极连接衰减电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210109340.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top