[发明专利]一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构

权利要求书

1.一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构，其特征在于，所述电荷泵锁相环加固结构包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器；在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路；所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路；其中，

鉴频鉴相器包括参考信号频率接收端、输出信号频率接收端，充电信号输出端和放电信号输出端；

电荷泵的第一输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端，第二输入端连接鉴频鉴相器的放电信号输出端；

衰减电路的输入端连接电荷泵的输出端，输出端连接补偿电路的输入端，所述衰减电路用于对单粒子轰击后产生的充电电流和放电电流进行衰减，以使滤波器的输出电压保持恒定；所述补偿电路用于对单粒子轰击后产生的电流进行补偿，以使滤波器的输出电压保持恒定；

选择电路的第一输入端连接补偿电路的输出端，第二输入端连接控制电路的输出端，输出端连接滤波器的输入端，所述选择电路用于对电荷泵输出的充电电流和放电电流进行控制；

控制电路的输入端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端和放电信号输出端，所述控制电路用于判断锁相环的工作状态；所述工作状态包括锁定状态和非锁定状态；

滤波器的输出端连接压控振荡器的输入端；

压控振荡器的输出端连接分频器的输入端；

分频器的输出端连接鉴频鉴相器的输出信号频率接收端。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电荷泵包括：PMOS管M1、电流源I1、NMOS管M2和电流源I2；其中，

PMOS管M1的源极连接电流源I1，栅极连接鉴频鉴相器的充电信号输出端，漏极连接衰减电路，NMOS管M2的源极连接电流源I2，栅极连接鉴频鉴相器的放电信号输出端，漏极连接衰减电路。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衰减电路包括：PMOS管M3、NMOS管M4、电阻R1和电阻R2；其中，

PMOS管M3的源极接地，栅极接电源电压，漏极连接电阻R1，NMOS管M4的源极连接电阻R2，栅极接地，漏极接电源电压，电阻R1的a端口与电荷泵中PMOS管M1的漏端和PMOS管M3的漏端连接，电阻R2的c端口与电荷泵中NMOS管M2的漏端和NMOS管M4的源端连接，电阻R1和电阻R2的另一端与衰减电路的输出端b连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述补偿电路包括：PMOS管M5、NMOS管M6和电阻R3；其中，

PMOS管M5的漏端接电源电压，栅端连接补偿电路的输出端，源端连接补偿电路的输入端，NMOS管M6的源端连接补偿电路的输入端，栅端连接补偿电路的输出端，漏端接地，电阻R3两端分别连接补偿电路的输入端和输出端。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制电路包括：同或门XNOR1和异或门XNOR2；其中，

同或门XNOR1的第一输入端h端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端UP，第二输入端i端连接鉴频鉴相器的放电信号输出端DN，输出端j连接选择电路中传输门TG的第一控制端f，异或门XNOR2的第一输入端k端连接鉴频鉴相器的充电信号输出端，第二输入端l端连接鉴频鉴相器的放电信号输出端，输出端m连接选择电路中传输门TG的第二控制端g。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择电路包括：传输门TG；其中，

传输门的第一控制端f连接控制电路中的同或门XNOR1的输出端j端，传输门的第二控制端g连接控制电路中异或门XNOR2的输出端m端，传输门的输入端d端连接补偿电路的输出端，传输门的输出端e端连接滤波器的输入端。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述滤波器包括：电阻R4、第一电容C1和第二电容C2；其中，

第一电容C1和第二电容C2上极板均连接滤波器的输出端，下极板均接地，电阻R4串联在滤波器输出端与第一电容C1的上极板之间。