[发明专利]一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件

说明书

本申请实施例所公开的一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件，获取脑电信号采集器件和柔性电子电路，脑电信号采集器件具有第一待连接区域，柔性电子电路具有第二待连接区域，基于第二待连接区域对应的目标尺寸，对第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球，将目标植球与第二待连接区域接触，使得脑电信号采集器件和柔性电子电路连接，得到脑电极器件。本申请采用激光植球技术在脑电信号采集器件的第一待连接区域上进行植球处理，可以减小脑电信号采集器件的连接面积。采用倒扣焊接技术，可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件与柔性电路板直接连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性。

技术领域

本发明涉及微电子封装互连技术领域，尤其涉及一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件。

背景技术

随着脑科学技术的发展，高质量、高密度的脑电信号的采集成为精密解读脑科学必不可少的条件。近年来，脑电极通道的数量从个位数发展至千量级，由于脑电极前期开发一般选取小鼠、大鼠或猴作为实验对象，其后端电路需要小型化处理，因此对于前端信号采集器件与后端电路的连接要求较为严格，需要在实现高通道连接的同时达到较小的体积，即需要兼顾通道数的增加和间距的缩小。图1是现有前端信号采集器件与后端电路的连接示意图一，图2是现有前端信号采集器件与后端电路的连接示意图二，图3是图2中A的局部放大图。图4是一种现有脑电极的平面示意图，图5是图4中B的局部放大图。如图5所示，后端电路中焊接孔间的间距已经达到250μm量级，普通的印制电路板已经无法满足前端信号采集器件的连接需求。这种需求和微电子封装互连技术的发展需求是一致的，在摩尔定律的引领下，集成电路的特征尺寸逐渐减小，晶体管的数量逐渐增大，随之而来的是越来越多的引脚数量，这对封装互连技术的要求也逐渐提升。

发明内容

本申请实施例提供了一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件，可以减小脑电信号采集器件的连接面积。并且，采用倒扣焊接技术，可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件与柔性电路板直接连接，可以保证脑电极器件的性能不被损坏，且可以提高脑电极器件的连接稳定性，此外还可以在柔性电路板的加工能力下实现千量级的脑电极信号的连接。

本申请实施例提供了一种脑电极器件的焊接方法，包括：

获取脑电信号采集器件和柔性电子电路；脑电信号采集器件具有第一待连接区域，柔性电子电路具有第二待连接区域；

基于第二待连接区域对应的目标尺寸，对第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球；

将目标植球与第二待连接区域接触，使得脑电信号采集器件和柔性电子电路连接，得到脑电极器件。

进一步地，将目标植球与第二待连接区域接触，使得脑电信号采集器件和柔性电子电路连接，得到脑电极器件，包括：

倒扣脑电信号采集器件，使得目标植球与第二待连接区域接触，使得脑电信号采集器件和柔性电子电路连接，得到脑电极器件。

进一步地，基于第二待连接区域对应的目标尺寸，对第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球，包括：

根据第二待连接区域对应的目标尺寸，利用激光植球对第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球。

进一步地，目标植球为型号为Sn42Bi58的焊球。

进一步地，目标植球的尺寸在区间[40μm,760μm]内。

相应地，本申请实施例还提供了一种脑电极器件，包括脑电信号采集器件和柔性电子电路；

脑电信号采集器件与柔性电子电路连接。

进一步地，脑电信号采集器件具有第一待连接区域，第一待连接区域上设有目标植球；

柔性电子电路具有第二待连接区域；