[发明专利]一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件在审
| 申请号： | 202210104979.1 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114406515A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陶虎;周志涛;王雪迎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;A61B5/291;B23K101/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王若愚 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 器件 焊接 方法 | ||
1.一种脑电极器件的焊接方法，其特征在于，包括：
获取脑电信号采集器件和柔性电子电路；所述脑电信号采集器件具有第一待连接区域，所述柔性电子电路具有第二待连接区域；
基于所述第二待连接区域对应的目标尺寸，对所述第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球；
将所述目标植球与所述第二待连接区域接触，使得所述脑电信号采集器件和所述柔性电子电路连接，得到脑电极器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标植球与所述第二待连接区域接触，使得所述脑电信号采集器件和所述柔性电子电路连接，得到脑电极器件，包括：
倒扣所述脑电信号采集器件，使得所述目标植球与所述第二待连接区域接触，使得所述脑电信号采集器件和所述柔性电子电路连接，得到所述脑电极器件。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二待连接区域对应的目标尺寸，对所述第一待连接区域进行植球处理，得到目标植球，包括：
根据所述第二待连接区域对应的所述目标尺寸，利用激光植球对所述第一待连接区域进行植球处理，得到所述目标植球。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标植球为型号为Sn42Bi58的焊球。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标植球的尺寸在区间[40μm,760μm]内。
6.一种脑电极器件，其特征在于，包括脑电信号采集器件和柔性电子电路；
所述脑电信号采集器件与所述柔性电子电路连接。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述脑电信号采集器件具有第一待连接区域，所述第一待连接区域上设有目标植球；
所述柔性电子电路具有第二待连接区域；
所述第一待连接区域通过所述目标植球与所述第二待连接区域连接，使得所述脑电信号采集器件与所述柔性电子电路连接。
8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一待连接区域包括：
粘附层；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述粘附层上；
抗氧化层，所述抗氧化层设置在所述阻挡层上。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述粘附层的材料为铬，所述阻挡层的材料为镍，所述抗氧化层的材料为金。
10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述粘附层的材料为钛，所述阻挡层的材料为钨，所述抗氧化层的材料为金。
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