[发明专利]一种高透光柔性复合前板及其制备方法在审
申请号: | 202210103708.4 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114447130A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 任建强;张群芳;陶利松;许进;杨再生;罗昆 | 申请(专利权)人: | 浙江合特光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/32;B32B27/18;B32B27/36;B32B27/08;B32B33/00;C08L23/08;C08L27/12;C08L27/18;C08K9/00;C08K3/30;C08K3/22;C08J5/18;C08J7/12 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 韩冰 |
地址: | 310000 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透光 柔性 复合 及其 制备 方法 | ||
1.一种高透光柔性复合前板,其特征在于:包括柔性前板主体(10),所述柔性前板主体(10)是由基材层(1)、磨砂层(2)和水汽阻隔层(3)组成;所述基材层(1)为透明改性ETFE膜;所述磨砂层(2)复合于基材层(1)朝向空气侧的表面;所述水汽阻隔层(3)复合于基材层(1)背向空气侧的表面;所述柔性前板主体(10)的厚度控制在0.15-0.2mm;所述柔性前板主体(10)的透光率为90-97%。
2.根据权利要求1所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述透明改性ETFE膜是由以下质量百分比的原料制备而成:1.5-4.0%的改性树脂、0.5-0.8%的AY-6300H改性纳米硫酸钡、0.05-0.2%的纳米二氧化硅、余量为ETFE树脂。
3.根据权利要求2所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述改性树脂是由以下质量百分比的原料制备而成:10-15%的聚三氟氯乙烯树脂、75-80%四氟乙烯-六氟丙烯树脂、余量为塑料填充母粒。
4.根据权利要求2所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述改性树脂是由以下质量百分比的原料制备而成:10%的聚三氟氯乙烯树脂、40-50%四氟乙烯-六氟丙烯树脂、30-35%的四氟乙烯-六氟丙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、余量为塑料填充母粒;所述四氟乙烯-六氟丙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物是由以下质量百分比的原料共聚制备而成:80%四氟乙烯、15-18%的六氟丙烯、余量为全氟烷基乙烯基醚;所述全氟烷基乙烯基醚为全氟乙基乙烯基醚、全氟丙基乙烯基醚中的一种或多种组合。
5.根据权利要求3或4所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述塑料填充母粒为AY-T80专用母粒,折射率1.56-1.58,MFR为5-10g/10min;所述ETFE树脂的MFR为4-12g/10min;所述聚三氟氯乙烯树脂为日本大金PCTFE M-300P,加工级别为挤出级,特性级别为透明级;所述四氟乙烯-六氟丙烯树脂的MFR为4.5-8.5g/10min。
6.根据权利要求5所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述透明改性ETFE膜的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,改性树脂的制备;
步骤二,改性树脂和ETFE树脂置于100-120℃下,干燥2-4h,备用;
步骤三,将计量准确的改性树脂、ETFE树脂与计量准确的AY-6300H改性纳米硫酸钡、纳米二氧化硅混合均匀,挤出造粒,得成品母粒;
步骤四,成品母粒置于100-120℃下,干燥2-4h,备用;
步骤五,将步骤四中完成干燥的成品母粒加入薄膜生产设备中,于250-270℃下进行高温熔融,熔融液料流延,自然冷却得厚度为1.0-1.2mm的透明ETFE片材;
步骤六,透明ETFE片材加热至160-180℃,进行双向拉伸处理,横向拉伸比为4-5,纵向拉伸比等于横向拉伸比,得半成品膜;
步骤七,半成品膜加热至200-220℃,保温60-100s,以15-30℃/min的降温速率降至室温,进行快速淬火,得半成品高透膜;
步骤八,半成品高透膜进行热处理,冷却至室温,裁切得透明改性ETFE膜。
7.根据权利要求1所述的一种高透光柔性复合前板,其特征在于:所述水汽阻隔层(3)为厚度20-40μm的高阻隔改性PET膜或者厚度0.3-2μm的金属氧化物阻隔镀层;所述高阻隔改性PET膜主要是由LCP树脂、PEN树脂、PET树脂、相容剂经过双向拉伸制备而成;所述金属氧化物阻隔镀层的加工方法采用的是物理气相沉积法中的射频磁控溅射技术;所述磨砂层(2)是由形成在基材层(1)表面的纳米级PMMA/Si02小颗粒构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的