[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池

说明书

本申请提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。太阳能电池的制备方法，包括：在硅片正面形成绝缘薄膜，再在硅片的背面形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层的表面沉积非晶硅层并进行磷掺杂，再将掺磷的非晶硅层转变成掺磷多晶硅层，其中，掺磷多晶硅层绕镀于绝缘薄膜并形成绕镀区域；以及制作电极，其中，在绝缘薄膜的表面制作正电极时，使正电极与绕镀区域间隔分布。该制备方法在无需进行去除绕镀工序的情况下，能有效缓解绕镀带来的漏电问题。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

背景技术

随着传统资源的日益枯竭，太阳能电池作为新型可替代能源，以其自身绿色、安全及可再生能力的优势得到了长足发展。在目前的太阳能电池光伏发电应用中，N型电池以更高的发电效率受到了行业的热捧；其中，N型TOPCon电池(隧穿氧化层钝化接触太阳能电池)已经陆续量产。在制作N型TOPCon电池的工艺中，有一步关键工艺，即在隧穿氧化层表面进行非晶硅沉积。

在现有技术中，不论是采用LPCVD(低压力化学气相沉积法)还是采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)沉积非晶硅，通常都会在电池的正面和边缘留下绕镀，从而产生较大的漏电情况。

目前的一些研究中，在制作TOPCon电池时，为了解决漏电问题，通常增加去除绕镀区域的工序。然而，去除绕镀区域的工序通常工序繁琐，且会产生较高的成本，不利于生产效率和生产成本的控制。

发明内容

本申请的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，在无需进行去除绕镀工序的情况下，能有效缓解绕镀带来的漏电问题。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

在硅片的正面形成绝缘薄膜，再在硅片的背面形成隧穿氧化层；

在隧穿氧化层的表面沉积非晶硅层并进行磷掺杂，再将掺磷的非晶硅层转变成掺磷多晶硅层，其中，掺磷多晶硅层绕镀于绝缘薄膜并形成绕镀区域；以及

制作电极，其中，在绝缘薄膜的表面制作正电极时，使正电极与绕镀区域间隔分布。

上述技术方案中，先在硅片的正面形成绝缘薄膜，使得非晶硅沉积时绕镀的位置在绝缘薄膜的边缘和表面，最终使得掺磷多晶硅层的绕镀区域绕镀并形成于隧穿氧化层。由于绝缘薄膜具有绝缘的作用，该绝缘薄膜间隔在绕镀区域与硅片之间，能避免绕镀区域与硅片正面发生电性接触而产生漏电。在进一步制作电极的过程中，控制正电极与绕镀区域间隔分布，能避免正电极与绕镀区域发生电性接触而产生漏电。

该制备方法在无需进行去除绕镀工序的情况下，能有效缓解绕镀带来的漏电问题。因此，在生产工艺中，可以减少去除绕镀工序，能够提高生产效率并降低生产成本，有利于批量化生产。

在一些可选的实施方案中，制作电极的步骤中，采用预设网版在绝缘薄膜的表面制作正电极；

其中，预设网版的栅线印刷边缘与绝缘薄膜的边缘之间的间距为3～4mm，以使正电极与绕镀区域间隔分布。

上述技术方案中，控制栅线印刷边缘与绝缘薄膜的边缘之间保持合适的间距，在有效保证正电极与绕镀区域间隔分布的同时，还能使正电极保留合适的印刷面积。

在一些可选的实施方案中，绝缘薄膜包括层叠分布的氮化硅层和氮氧化硅层。

上述技术方案中，将氮化硅层和氮氧化硅层进行层叠配合，使得绝缘薄膜能够较好地发挥隔绝绕镀区域与硅片的作用；同时，能够较好地发挥正面钝化减反射的作用，有利于提高太阳能电池的光电转换性能。

在一些可选的实施方案中，在硅片的正面形成绝缘薄膜的步骤包括：