[发明专利]一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，属于离型膜生产技术领域，包括以下制备步骤：步骤一、选择三种份配比方案，配比：ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂，然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗；步骤二、通过多层共挤流延设备对三份原料进行熔融。本发明，提高离型膜的使用性能，增加离型膜的生产效率，同时能够利用冷却筒对离型膜的一面形成若干个空腔纹路，当使用离型膜贴合物体光滑表面时，揭开离型膜瞬时产生的负压能够提高离型膜的贴合效果，功能性更强，满足市场的使用需求，能够方便对冷却筒进行更换维修，或者根据需求对冷却筒上的纹路样式进行更换。

技术领域

本发明涉及离型膜生产技术领域，更具体地说，涉及一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法。

背景技术

离型膜，又称剥离膜、隔离膜、分离膜、阻胶膜、离形膜、薄膜、塑料薄膜、掩孔膜、硅油膜、硅油纸、防粘膜、型纸、打滑膜、天那纸、离型纸、silliconfilm、release film、release、无纺布膜，通常情况下为了增加塑料薄膜的离型力，会将塑料薄膜做等离子处理，或涂氟处理，或涂硅(silicone)离型剂于薄膜材质的表层上，如PET、PE、OPP，等等；让它对于各种不同的有机压感胶(如热融胶、亚克力胶和橡胶系的压感胶)可以表现出极轻且稳定的离型力。根据不同所需离型膜离型力，隔离产品胶的粘性不同，离型力相对应调整，使之在剥离时达到极轻且稳定的离型力。

现有的离型膜其使用性能已经渐渐无法满足市场的使用需求，且在张贴后，由于其离型力，往往较为容易的接落或脱落，影响离型膜的使用，故而提出了一种制备方法来解决该类技术问题。

发明内容

针对上述背景技术中存在的相关问题，本发明的目的在于提供一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法。

为实现上述目的，本发明采用如下的技术方案。

一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，包括以下制备步骤：

步骤一、选择三种份配比方案，配比：ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂，然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗；

步骤二、通过多层共挤流延设备对三份原料进行熔融，并通过T性模头共同挤出并进行复合成初料；

步骤三、流延辊上套接一个冷却筒，初料流延至冷却筒并通过冷却筒进行流延成型形成离型膜；

步骤四、对离型膜的表面进行处理获得离型膜成品，并进行收卷。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述步骤一中的配比方案为100：3：2.5：4：5：3.5、100：4：3：3：5：3、100：3：4：5：4：3、100：3.5：5：4.5：4：3中的一种。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述步骤一中的紫外线屏蔽剂为有机或无机类化合物，包括炭黑、二氧化钦、氧化锌、锌钡、钛白粉、滑石粉与陶土粉中的一种；所述交联剂为甲基甲氧基硅氧烷、N-2-(氨乙基)-3氨丙基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的一种。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述步骤一中的抗静电剂为乙炔炭黑；所述抗氧剂为抗氧剂1076、抗氧剂CA、抗氧剂DLTP、抗氧剂TNP、抗氧剂TPP中的一种。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述步骤二中在对其一原料进行熔融时，添加改性剂，所述改性剂为改性蒙脱土(OMMT)与改性石墨烯中的一种。

作为上述技术方案的进一步描述：