[发明专利]一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

步骤一、选择三种份配比方案，配比：ETFE、紫外线屏蔽剂、抗氧剂、抗静电剂和交联剂，然后分别放入多层共挤流延设备上的三个加料斗；

步骤二、通过多层共挤流延设备对三份原料进行熔融，并通过T性模头共同挤出并进行复合成初料；

步骤三、流延辊上套接一个冷却筒，初料流延至冷却筒并通过冷却筒进行流延成型形成离型膜；

步骤四、对离型膜的表面进行处理获得离型膜成品，并进行收卷。

2.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的配比方案为100：3：2.5：4：5：3.5、100：4：3：3：5：3、100：3：4：5：4：3、100：3.5：5：4.5：4：3中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的紫外线屏蔽剂为有机或无机类化合物，包括炭黑、二氧化钦、氧化锌、锌钡、钛白粉、滑石粉与陶土粉中的一种；所述交联剂为甲基甲氧基硅氧烷、N-2-(氨乙基)-3氨丙基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的抗静电剂为乙炔炭黑；所述抗氧剂为抗氧剂1076、抗氧剂CA、抗氧剂DLTP、抗氧剂TNP、抗氧剂TPP中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二中在对其一原料进行熔融时，添加改性剂，所述改性剂为改性蒙脱土(OMMT)与改性石墨烯中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤三中冷却筒的表面设置有均匀分布的凸起，所述凸起的形状为圆形、方形、线条中的一种，相邻的两个凸起之间不相接。

7.根据权利要求1所述的一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，其特征在于：所述步骤三中冷却筒的内侧一体成型有定位换热片，所述冷却筒与流延辊滑动连接，所述流延辊上穿插有两个固定螺栓，所述固定螺栓的一端与流延辊螺纹连接。