[发明专利]微阵列芯片、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种微阵列芯片，其特征在于，其包括有：

基板；

至少一个检测阵列，其设置于所述基板，并且包括有：

电极，

至少一个检测位点，所述检测位点的材料为多孔性石墨烯和/或多孔性氧化石墨烯，

识别物，所述识别物设于所述检测位点，所述识别物能够特异性地与样本中的目标物发生相互作用；

所述检测位点与所述电极电连接；

所述检测阵列呈有序排列。

2.如权利要求1所述的微阵列芯片，其特征在于，进一步包括有至少一个验证阵列，所述验证阵列设于所述基板上，所述验证阵列包括有至少一个所述检测位点和所述识别物。

3.如权利要求1所述的微阵列芯片，其特征在于，所述目标物为微生物，所述样本中的所述微生物的含菌量为：10²cells/ml至10⁶cells/ml。

4.如权利要求1所述的微阵列芯片，其特征在于，所述检测阵列的排列方式为交错排列。

5.如权利要求1所述的微阵列芯片，其特征在于，至少一个所述检测阵列的电压为正电压或者负电压，所述正电压为0.2伏特至0.8伏特，所述负电压为-0.2伏特至-0.8伏特。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述的微阵列芯片的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：

S1.在基板上光刻出电极布线图样；

S2.在步骤S1所获得的基板上蒸镀成膜，成膜后移除光刻胶制作出电极布线；

S3.在步骤S2所获得的电极布线的特定位点喷涂氧化石墨烯溶液；

S4.冻干步骤S3所获得的基板；

S5.在环境压力小于一个大气压，冻干温度为-50℃至-120℃的条件下，对S4步骤所获得的基板进行退火，在含有氩气与氢气的环境下升温至400℃至600℃还原部分氧化石墨烯，获得多孔性石墨烯和/或多孔性氧化石墨烯。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤S2中，所述电极布线的材料选自于下列所组成的群组：钛、铬、铝或镍及其任意组合；所述的成膜的厚度为50至200纳米。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤S3中，所述氧化石墨烯溶液通过Hummers method方法制备，所述特定位点所喷涂的所述氧化石墨烯溶液的量为0.5μl至1μl。

9.一种微阵列芯片的检测方法，适用于对样本中微生物的含菌量范围为10²cells/ml至10⁶cells/ml的样本进行微生物检测，其特征在于，包括有以下步骤：使所述微阵列芯片的检测位点带有正电，所述正电的电压为0.2伏特至0.8伏特。

10.如权利要求9所述的检测方法，其特征在于，包括使用权利要求1至5中任一项所述的微阵列芯片进行检测。