[发明专利]一种InP HEMT外延结构

权利要求书

1.一种InP HEMT外延结构，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si-δ掺杂层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第二隔离层、第二Si-δ掺杂层、第二势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层；

其中，所述第一沟道层的材料为In_xGa_1-xAs，0.5≤x≤0.8，所述第二沟道层的材料为In_yGa_1-yAs，0.7≤y≤1，所述第三沟道层的材料为In_zGa_1-zAs，0.5≤z≤0.8，所述第一Si-δ掺杂层和所述第二Si-δ掺杂层的掺杂浓度均为3×10¹²～7×10¹²cm^-2。

2.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第二沟道层的材料为InAs。

3.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，还包括第三Si-δ掺杂层，所述第三Si-δ掺杂层设于所述第一隔离层和所述第一沟道层之间，所述第三Si-δ掺杂层的掺杂浓度为3×10¹²～7×10¹²cm^-2。

4.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第二缓冲层为超晶格缓冲层。

5.如权利要求4所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层的材料为In_mA1_1-mAs或In_mGa_1-mAs，0.5≤m≤0.8。

6.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第二接触层的材料为掺杂Si的N型In_nGa_1-nAs，0.65≤n≤1。

7.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第一接触层的材料为掺杂Si的N型In_jA1_1-jAs，0.5≤j≤0.8。

8.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第一势垒层的材料为In_aA1_1-aAs，0.5≤a≤0.8；和/或，

所述第二势垒层的材料为In_bA1_1-bAs，0.5≤b≤0.8；和/或，

所述刻蚀停止层的材料为InP。

9.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第一缓冲层的材料为In_kA1_1-kAs，0.4≤k≤0.6。

10.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为10～500nm；和/或，

所述第二缓冲层的厚度为0～500nm；和/或，

所述第一势垒层的厚度为20～500nm；和/或，

所述第一隔离层的厚度为1～4nm；和/或，

所述第一沟道层的厚度为2～20nm；和/或，

所述第二沟道层的厚度为2～10nm；和/或，

所述第三沟道层的厚度为2～20nm；和/或，

所述第二隔离层的厚度为1～4nm；和/或，

所述第二势垒层的厚度为6～20nm；和/或，

所述刻蚀停止层的厚度为2～4nm；和/或，

所述第一接触层的厚度为10～20nm；和/或，

所述第二接触层的厚度为10～20nm。