[发明专利]一种自举开关电路在审

专利信息
申请号: 202210096432.1 申请日: 2022-01-26
公开(公告)号: CN114614807A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 于金鑫;李秀冬;欧阳鹏;王博 申请(专利权)人: 江苏清微智能科技有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京索睿邦知识产权代理有限公司 11679 代理人: 朱玲
地址: 211100 江苏省南京市江宁区麒麟*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电路
【权利要求书】:

1.一种自举开关电路,用于模拟转换器的输入电路,其特征在于,包括:与时钟(CLK)连接的预充电时钟控制电路(10)以及与所述预充电时钟控制电路(10)连接的自举电压生成电路(20),其中

所述预充电时钟控制电路(10)用于产生预充电信号、保持信号以及跟随信号;以及

所述自举电压生成电路(20)用于实现电压的倍增,并且仅包括一个自举电容(Cboot)。

2.根据权利要求1所述的自举开关电路,其特征在于,所述预充电时钟控制电路(10)包括:延时单元(DELAY)、预充电信号产生电路(110)、保持信号产生电路(120)以及跟随信号产生电路(130),其中

所述延时单元(DELAY)的输入端与所述时钟(CLK)连接。

3.根据权利要求2所述的自举开关电路,其特征在于,所述预充电信号产生电路(110)包括:第一反相器(INV1)、第一与门(AND1)以及第二反相器(INV2),其中

所述第一反相器(INV1)的输入端与所述延时单元(DELAY)的输出端连接;

所述第一与门(AND1)的两个输入端分别与所述延时单元(DELAY)的输出端和所述第一反相器(INV1)的输出端连接;以及

所述第二反相器(INV2)的输入端与所述第一与门(AND1)的输出端连接,并且所述第二反相器(INV2)的输出端与所述自举电压生成电路(20)连接。

4.根据权利要求3所述的自举开关电路,其特征在于,所述保持信号产生电路(120)包括:第二与门(AND2),其中

所述第二与门(AND2)的两个输入端分别与所述延时单元(DELAY)的输入端和输出端连接,并且所述第二与门(AND2)的输出端与所述自举电压生成电路(20)连接。

5.根据权利要求4所述的自举开关电路,其特征在于,所述跟随信号产生电路(130)包括:第三反相器(INV3),其中

所述第三反相器(INV3)的输入端与所述延时单元(DELAY)的输入端连接,并且所述第三反相器(INV3)的输出端与所述自举电压生成电路(20)连接。

6.根据权利要求5所述的自举开关电路,其特征在于,所述自举电压生成电路(20)由所述自举电容(Cboot)、第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第九晶体管(M9)、第十晶体管(M10)、第十一晶体管(M11)、第十二晶体管(M12)、第十三晶体管(M13)、第十四晶体管(M14)、第十五晶体管(M15)以及负载电容(Cload)组成,其中,

所述第四晶体管(M4)、所述第五晶体管(M5)、所述第八晶体管(M8)、所述第十晶体管(M10)、所述第十一晶体管(M11)、所述第十四晶体管(M14)以及所述第十五晶体管(M15)为PMOS晶体管;以及

所述第一晶体管(M1)、所述第二晶体管(M2)、所述第三晶体管(M3)、所述第六晶体管(M6)、所述第七晶体管(M7)、所述第九晶体管(M9)、所述第十二晶体管(M12)以及所述第十三晶体管(M13)为NMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的自举开关电路,其特征在于,所述第一晶体管(M1)的漏极接所述第二晶体管(M2)的源极和信号输入端(Vin),源极接所述第三晶体管(M3)的漏极、所述第九晶体管(M9)的源极和所述自举电容(Cboot)的下极板,栅极接所述第五晶体管(M5)的栅极、所述第十一晶体管(M11)的源极、所述第十五晶体管(M15)的漏极、所述第二晶体管(M2)的栅极和所述第七晶体管(M7)的漏极;

所述第二晶体管(M2)漏极接所述负载电容(Cload)到地;

所述第三晶体管(M3)栅极接所述第六晶体管(M6)的栅极和所述第三反相器(INV3)的输出端,源极接所述第十三晶体管(M13)的源极和所述第六晶体管(M6)源极和地;

所述第四晶体管(M4)的栅极接所述第二与门(AND2)的输出端;

所述第五晶体管(M5)的漏极接所述第四晶体管(M4)的漏极;

所述第六晶体管(M6)的漏极接所述第七晶体管(M7)的源极;

所述第八晶体管(M8)源极接电源(VDD)、所述第四晶体管(M4)和所述第十晶体管(M10)的源极以及所述第七晶体管(M7)和所述第十二晶体管(M12)的栅极,栅极接所述第二与门(AND2)的输出端;

所述第九晶体管(M9)漏极接所述第十四晶体管(M14)和所述第十五晶体管(M15)的栅极以及所述第八晶体管(M8)的漏极,栅极接所述第二与门(AND2)的输出端、所述第八晶体管(M8)和所述第四晶体管(M4)的栅极;

所述第十晶体管(M10)的栅极接所述第二反相器(INV2)的输出端;

所述第十一晶体管(M11)的漏极接所述第十晶体管(M10)的漏极;

所述第十三晶体管(M13)的栅极接所述第一与门(AND1)的输出端;

所述第十四晶体管(M14)漏极接所述第十一晶体管(M11)的栅极和所述第十二晶体管(M12)的漏极;以及

所述自举电容(Cboot)的上极板接所述第五晶体管(M5)、所述第十四晶体管(M14)和所述第十五晶体管(M15)的源极。

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